[实用新型]一种晶闸管封装构件有效
申请号: | 201721191376.0 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN207165578U | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 刘芹;王东东 | 申请(专利权)人: | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/74 | 分类号: | H01L29/74;H01L23/48;H01L23/10 |
代理公司: | 北京聿华联合知识产权代理有限公司11611 | 代理人: | 刘华联 |
地址: | 412001 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶闸管 封装 构件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种晶闸管封装构件,具体地涉及一种大功率晶闸管封装构件。
背景技术
晶闸管是电力电子中传统的大功率器件。其具有高电压、大电流的特征。目前,大功率晶闸管已广泛应用于直流输电、智能电网、电力变流器、无触点开关等领域,前景广阔,发展空间巨大。因此,在实现器件功能、延长器件寿命等方面,晶闸管的封装结构就显得尤为重要。
现有的技术方案中,大功率晶闸管包括管盖、管座、阳极片、芯片、阴极片、门极组件、定位销等部分。晶闸管的阳极片与管座是通过截面为圆形的定位销连接,而阴极片与管盖之间没有设置连接的定位销。当这种结构的晶闸管倾斜放置时,会发生剧烈的振动,致使晶闸管内部的阴极片、芯片、阳极片、定位销等内部部件容易旋转。由于门极组件的引线放置在阴极钼片的引线槽中,引线的末端固定在管座上的门极管内。因此只要阴极片发生旋转,门极组件的引线就会发生断裂,从而使晶闸管无法触发。
CN201120225120.3公开了一种特大功率晶闸管封装构件。这种晶闸管封装构件的封装强度和气密封较高,并且在大功率下的耐高压和绝缘性能都非常好。但是此方案仍然是采用截面为圆形的定位销,这样晶闸管内部的阳极片和阴极片容易发生旋转,使门极组件的引线发生断裂,从而使晶闸管无法触发。
实用新型内容
针对至少一些如上所述的技术问题,本实用新型旨在提供一种晶闸管封装构件。这种晶闸管封装构件能够在晶闸管剧烈振动时,防止内部的阳极片和管座以及内部的阴极片和管盖发生相对旋转。避免了门极组件的引线断裂而导致晶闸管无法触发的情况。
为此,根据本实用新型,提供了一种晶闸管封装构件。包括管座、置于所述管座之上的管盖以及安装在所述管盖与所述管座之间的阴极片和阳极片,其中,在所述管座与所述阳极片之间设置有第一定位销,所述第一定位销的截面设置为非圆形的结构。
在一个优选的实施例中,在所述管盖与所述阴极片之间设置有第二定位销,所述第二定位销的截面设置成非圆形结构。
在一个优选的实施例中,所述第一定位销与第二定位销的截面设置成相同或者不同的形状。
在一个优选的实施例中,所述第一定位销设置在所述管座与所述阳极片的中心或者偏心位置。
在一个优选的实施例中,在所述管座与所述阳极片的中心或偏心位置,分别设有与第一定位销的截面形状相同的第一、第二盲孔,所述第一定位销安装在所述第一、第二盲孔中。
在一个优选的实施例中,所述第二定位销设置在所述管盖与所述阴极片的偏心位置。
在一个优选的实施例中,在所述阴极片的中心设置有用于安装门极组件的通孔,在所述管盖与阴极片的偏心位置设有与第二定位销的截面形状相同的第三、第四盲孔,所述第二定位销安装在所述第三、第四盲孔中。
在一个优选的实施例中,在所述阴极片与所述阳极片之间布置有呈盘状的芯片,所述芯片的与所述阴极片连接的一面设有相对于端面轴向内凹的腔体,所述阴极片安装在所述腔体中。
在一个优选的实施例中,在所述阴极片的设有盲孔的面上设置有沿径向方向的径向凹槽,用于放置与门极组件相连的引线。
在一个优选的实施例中,在所述管座的侧壁上设有贯穿管座壁的通孔,所述通孔中设有门极管,所述与门极组件相连的引线的末端固定在所述门极管内。
附图说明
下面将参照附图对本实用新型进行说明。
图1是根据本实用新型的晶闸管封装构件的拆散的示意图。
在本申请中,所有附图均为示意性的附图,仅用于说明本实用新型的原理,并且未按实际比例绘制。
具体实施方式
下面通过附图来对本实用新型进行介绍。
图1显示了根据本实用新型的晶闸管封装构件100。如图1所示,晶闸管封装构件100包括管座70和置于管座70之上的管盖10,以及安装在管盖10与管座70之间的阴极片30和阳极片50。阴极片30和阳极片50均可构造为钼圆片。管盖10包括管盖本体11和设置在管盖本体11的与阴极片30接触的端面上的圆柱形支撑体12。在管盖本体11上的设有圆柱形支撑体12的端面设有中心盲孔13,其作用将在下文中描述。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代电气股份有限公司,未经株洲中车时代电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721191376.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种SiC欧姆接触结构
- 下一篇:一种半导体存储器的器件结构
- 同类专利
- 专利分类