[实用新型]一种适用于PERC电池片的石墨框有效
申请号: | 201721195999.5 | 申请日: | 2017-09-15 |
公开(公告)号: | CN207217491U | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 齐轶;曹钺 | 申请(专利权)人: | 上海晶驰炭素有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙)31230 | 代理人: | 陈伟勇 |
地址: | 201505 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适用于 perc 电池 石墨 | ||
技术领域
本实用新型涉及机械技术领域,具体涉及石墨框。
背景技术
PERC电池片(钝化发射区背面电池,Passivated emitter rear contact solar cells)制备时,需要使用镀膜机台进行镀膜。
石墨框是镀膜机台用于承载硅片的承载装置。
硅片放置在石墨框用于承载硅片的承载孔后,由于石墨框的顶面处于平面状,镀膜时硅片会受到石墨框顶部的影响,进而不能很好的实现对硅片正面的镀膜,气态的化学源在硅片边缘处的镀膜效果不佳,镀膜后的硅片容易产生框印。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种适用于PERC电池片的石墨框,解决以上至少一个技术问题。
本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
一种适用于PERC电池片的石墨框,包括一石墨框,所述石墨框上开设有用于承载硅片的承载孔,所述承载孔的上下导通,其特征在于,所述承载孔从上至下依次为上部、中部、下部;
所述承载孔的上部呈横截面从上至下逐渐递减的四棱锥台状,相邻承载孔的上部直接相连;
所述承载孔的中部与下部均呈长方体状;
所述承载孔的中部的横截面面积大于硅片的横截面面积,所述承载孔的中部的高度低于硅片的厚度,所述承载孔的中部与上部的高度和大于硅片的厚度;
所述承载孔的下部的横截面面积小于所述硅片的横截面面积;
所述石墨框的四个角部均螺纹连接一石墨螺丝,所述石墨螺丝的头部位于石墨螺丝的螺纹部的下方。
本专利的创造点在于:(1)相邻承载孔的上部直接相连,湿度顶面包括相邻承载孔上部相连构成的曲面,将传统平面状的顶面改良为曲面,防止石墨框的顶面对镀膜造成的干扰,避免造成框印的问题。即使气态的化学源微倾斜射向硅片(气态的化学源发射方向与硅片构成的夹角为88°~89°,或者91°~92°),由于承载孔的上部呈横截面从上至下逐渐递减的四棱锥台状,也不会因为顶面干扰到气态的化学源的运动轨迹造成框印的问题。
(2)通过优化承载孔中部的结合,便于硅片的固定的同时,防止硅片下陷于承载孔中部而造成框印的问题。
(3)通过石墨螺丝,便于实现硅片所处高度的调整,适用于不同的工艺需求,实现硅片在镀膜机台内高度的微调。当无需对高度进行调整时,可以将螺丝从石墨框上旋出。此外,通过四个角部均有石墨螺丝,通过对四个角部石墨螺丝的旋紧情况进行调整,实现石墨框的微斜,防止框印的问题的同时,还可以缩小镀膜时气态的化学源的覆盖范围。且降低了气态的化学源撞击硅片的方向性的需求,允许气态的化学源微倾斜射向硅片。
所述石墨框上还设有用于螺纹连接所述石墨螺丝的螺纹孔,所述石墨框上还开设有用于容纳所述螺丝头部的容纳槽,所述容纳槽是一横截面呈圆形且开口向下的容纳槽,所述容纳槽位于所述螺纹孔的下方,且所述容纳槽与所述螺纹孔导通;
所述容纳槽的高度大于所述螺丝头部的高度。
本实用新型通过容纳槽与螺纹孔的结合,当用户不需要调整硅片所处的高度时,旋动石墨螺丝,将螺丝头部容置在容纳槽内,也可以将螺丝从石墨框上旋出。当需要对硅片所处的高度进行调整时,将螺栓头部从容纳槽内旋出,即可实现对硅片所处高度的微调。通过容纳槽的横截面呈圆形,便于螺丝的旋转。
所述石墨框的下表面固定有一呈网状的加强筋,所述加强筋的网孔个数与所述承载孔的个数相同,且所述加强筋的网孔的中心轴线与所述承载孔的中心轴线处于同一直线上。
通过加强筋,便于保证石墨框开承载孔处的强度。
附图说明
图1为本实用新型的一种剖视图;
图2为本实用新型俯视状态下的一种结构示意图;
图3为本实用新型开设有凹槽处的部分结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示进一步阐述本实用新型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造