[实用新型]一种反激电路控制系统和电子设备

权利要求书

1.一种反激电路控制系统，其特征在于，包括：输入电压采样模块、状态控制模块、非准谐振模块、准谐振模块、驱动输出模块以及DS采样模块；所述输入电压采样模块的输入端用于输入采样电压，所述输入电压采样模块的第一输出端连接所述状态控制模块的第一输入端，所述状态控制模块的输出端分别连接所述非准谐振模块的输入端和所述准谐振模块的第一输入端，所述非准谐振模块、所述准谐振模块的输出端均连接所述驱动输出模块的输入端，所述驱动输出模块的输出端用于连接反激电路，所述DS采样模块的输出端与所述准谐振模块的第二输入端连接，所述DS采样模块的输入端连接所述反激电路；所述状态控制模块用于根据所述采样电压的大小控制所述非准谐振模块和所述准谐振模块的工作状态，从而控制所述反激电路工作在准谐振状态或非准谐振状态。

2.如权利要求1所述的反激电路控制系统，其特征在于，所述系统还包括回差设定模块；所述回差设定模块的输入端与所述输入电压采样模块的第二输出端连接，所述回差设定模块的输出端与所述状态控制模块的第二输入端连接；当所述反激电路工作在准谐振工作状态时，所述回差设定模块在所述输入电压采样模块的输入端增加或减少回差电压时使所述状态控制模块的控制状态保持不变。

3.如权利要求2所述的反激电路控制系统，其特征在于，所述回差设定模块包括取样电阻，所述取样电阻的第一端为所述回差设定模块的输入端，与所述输入电压采样模块的第二输出端连接，所述取样电阻的第二端为所述回差设定模块的输出端，与所述状态控制模块的第二输入端连接。

4.如权利要求1所述的反激电路控制系统，其特征在于，所述DS采样模块包括第一运算放大器、第一电阻和第二电阻；

所述第一电阻的第一端为所述DS采样模块的输入端，所述第一电阻的第二端与所述第一运算放大器的第一端连接；所述第二电阻的第一端与所述第一运算放大器的第二端连接，所述第二电阻的第二端与所述第一运算放大器的第三端连接；所述第一运算放大器的第三端为所述DS采样模块的输出端；所述第一运算放大器的第一端为所述第一运算放大器的同相输入端，所述第一运算放大器的第二端为所述第一运算放大器的反向输入端，所述第一运算放大器的第三端为所述第一运算放大器的输出端；所述DS采样模块用于采样反激电路开关管电压并反馈给所述准谐振模块。

5.如权利要求1所述的反激电路控制系统，其特征在于，所述DS采样模块包括霍尔电压传感器、第三电阻和第四电阻；

所述第三电阻的第一端为所述DS采样模块的输入端，所述第三电阻的第二端与所述霍尔电压传感器的第一端连接；所述第四电阻的第一端与所述霍尔电压传感器的第二端连接，所述第四电阻的第二端接地；所述霍尔电压传感器的第二端为所述DS采样模块的输出端；所述DS采样模块用于采样反激电路开关管电压并反馈给所述准谐振模块。

6.如权利要求1所述的反激电路控制系统，其特征在于，所述驱动输出模块包括晶体管和第五电阻；

所述晶体管的第一端为所述驱动输出模块的输入端，所述晶体管的第二端与所述第五电阻的第二端连接，所述晶体管的第三端接地；所述第五电阻的第一端连接电源端，所述第五电阻的第二端为所述驱动输出模块的输出端；所述驱动输出模块用于驱动所述反激电路的工作。

7.如权利要求6所述的反激电路控制系统，其特征在于，所述晶体管为NPN型三极管；所述晶体管的第一端为所述NPN型三极管的基极，所述晶体管的第二端为所述NPN型三极管的集电极，所述晶体管的第三端为所述NPN型三极管的发射极。

8.如权利要求1所述的反激电路控制系统，其特征在于，所述状态控制模块包括第二运算放大器、第六电阻、第七电阻和第八电阻；

所述第六电阻的第一端连接所述状态控制模块的第一输入端和第二输入端，所述第六电阻的第二端与所述第二运算放大器的第一端连接；所述第七电阻的第一端为所述状态控制模块的第三输入端，所述第七电阻的第二端与所述第二运算放大器的第二端连接；所述第八电阻的第一端与所述第二运算放大器的第四端连接，所述第八电阻的第二端与所述第二运算放大器的第三端连接；所述第二运算放大器的第三端为所述状态控制模块的输出端，所述第二运算放大器的第四端接电源端，所述第二运算放大器的第五端接地；所述状态控制模块用于根据所述输入电压采样模块的采样电压控制状态控制模块的控制状态。