[实用新型]COF用挠性电路板

权利要求书

1.一种COF用挠性电路板，其附接有一个或多个集成电路芯片，所述COF用挠性电路板包括：

由绝缘材料构成的基材；和

结合在所述基材上的导体层；

其中，所述导体层包括通过离子注入方法注入到所述基材的表面以内一定深度范围的离子注入层，以及沉积在所述离子注入层上的等离子体沉积层；以及

其中，所述离子注入层的注入材料与所述基材形成掺杂结构。

2.根据权利要求1所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述离子注入层通过采用金属蒸汽真空电弧离子源对所述基材进行离子注入来形成。

3.根据权利要求1所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述等离子体沉积层通过采用真空阴极弧磁过滤等离子体沉积方式对所述基材进行等离子体沉积以形成在所述离子注入层上。

4.根据权利要求1所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述等离子体沉积层包括多层，并且其中，与所述离子注入层相连的第一等离子体沉积层与所述离子注入层的材料一致。

5.根据权利要求4所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述离子注入层为Ni离子注入层，以及与所述Ni离子注入层相连的一层等离子体沉积层为Ni等离子体沉积层，而在所述Ni等离子体沉积层上且与所述Ni离子注入层相反的一侧为Cu等离子体沉积层。

6.根据权利要求4所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述离子注入层为Ni-Cr合金离子注入层，以及与所述Ni-Cr合金离子注入层相连的一层等离子体沉积层为Ni-Cr合金等离子体沉积层，而在所述Ni-Cr合金等离子体沉积层上且与所述Ni-Cr合金离子注入层相反的一侧为Cu等离子体沉积层。

7.根据权利要求1所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述等离子体沉积层包括与所述离子注入层相连的第一等离子体沉积层以及远离所述离子注入层的第二等离子体沉积层。

8.根据权利要求7所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述第一等离子体沉积层的厚度为0-50纳米，以及所述第二等离子体沉积层的厚度为0-150纳米。

9.根据权利要求7所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述第一等离子体沉积层和所述第二等离子体沉积层的界面处形成有厚度为5-50纳米的合金层。

10.根据权利要求1所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述导体层还包括金属加厚层，所述金属加厚层镀覆在所述等离子体沉积层上。

11.根据权利要求10所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述金属加厚层具有0.1-100μm的厚度，并且由Al、Mn、Fe、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb以及它们之间的合金中的一种或多种组成。

12.根据权利要求10所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述金属加厚层为加厚铜层，厚度为0.5-12μm。

13.根据权利要求1所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述基材为有机高分子薄膜基材，其包括PI、PTO、PC、PSU、PES、PPS、PS、PE、PP、PEI、PTFE、PEEK、PA、PET、PEN、LCP或PPA中的一种或多种。

14.根据权利要求1所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述基材为厚度为10-50微米的PI膜基材。

15.根据权利要求1所述的COF用挠性电路板，其特征在于，所述COF用挠性电路板还附接有被动元件，其采用回流焊的方式焊接在所述COF用挠性电路板上。