[实用新型]一种等离子减薄装置有效
申请号: | 201721215002.8 | 申请日: | 2017-09-20 |
公开(公告)号: | CN207282468U | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 邓辉 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人: | 谢岳鹏 |
地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子 装置 | ||
1.一种等离子减薄装置,其特征在于,包括第一电极、第二电极、惰性气体供给装置与刻蚀气体供给装置,其中,所述第一电极与第二电极平行设置,二者之间具有间隙,所述惰性气体供给装置用于向所述间隙内通入惰性气体,以在所述间隙内形成等离子体,所述等离子体向所述间隙外喷出形成等离子体火焰,所述刻蚀气体供给装置用于向所述等离子体火焰中通入刻蚀气体。
2.根据权利要求1所述的等离子减薄装置,其特征在于,所述等离子体火焰的长度大于10mm。
3.根据权利要求1或2所述的等离子减薄装置,其特征在于,还包括用于承载待加工工件的工作台,所述间隙正对所述工作台。
4.根据权利要求3所述的等离子减薄装置,其特征在于,还包括移动模组,所述移动模组用于驱动所述工作台相对所述第一电极、第二电极运动,或者驱动所述第一电极、第二电极相对所述工作台运动。
5.根据权利要求1或2所述的等离子减薄装置,其特征在于,所述惰性气体为氦气或者氩气。
6.根据权利要求1或2所述的等离子减薄装置,其特征在于,所述刻蚀气体为四氟化碳或者六氟化硫。
7.根据权利要求1或2所述的等离子减薄装置,其特征在于,由所述惰性气体供给装置喷射出的惰性气体吹扫位于所述间隙内的等离子体以形成所述等离子体火焰。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造