[实用新型]一种紫外LED倒装芯片

权利要求书

1.一种紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述紫外LED倒装芯片包括：

衬底；

设置在所述衬底上的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、重掺杂n型AlGaN层、轻掺杂n型AlGaN层、量子阱有源区、电子阻挡层、P型导电层、反射层、电流扩展层、绝缘层以及导电薄膜层；

其中，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构。

2.根据权利要求1所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述绝缘层设置于所述电流扩展层中间区域，且所述电流扩展层以及所述绝缘层分别与所述反射层接触。

3.根据权利要求2所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述紫外LED倒装芯片还包括：

贯穿所述轻掺杂n型AlGaN层、所述量子阱有源区、所述电子阻挡层、所述P型导电层、所述反射层、所述电流扩展层以及所述导电薄膜层的第一电极凹槽结构；

贯穿所述电流扩展层以及所述导电薄膜层的第二电极凹槽结构；

贯穿所述轻掺杂n型AlGaN层、所述量子阱有源区、所述电子阻挡层、所述P型导电层、所述反射层、所述绝缘层以及所述导电薄膜层的设定形状的第三凹槽结构。

4.根据权利要求3所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述紫外LED倒装芯片还包括：

分别设置于所述第一电极凹槽结构内部侧壁以及所述第二电极凹槽结构内部侧壁的隔离层；

分别设置于所述第一电极凹槽结构内部侧壁以及所述第二电极凹槽结构内部侧壁背离所述隔离层一侧的内部接触层。

5.根据权利要求3所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述紫外LED倒装芯片还包括：

设置于所述导电薄膜层表面上且与所述第一电极凹槽结构接触连接的n电极；

设置于所述导电薄膜层表面上且与所述第二电极凹槽结构接触连接的p电极。

6.根据权利要求5所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述紫外LED倒装芯片还包括：

设置于所述第三凹槽结构内部的SiO₂层，且所述SiO₂层的厚度小于所述第一方向上从所述重掺杂n型AlGaN层开始至所述绝缘层之间的距离；

设置于所述SiO₂层上的金属环层，所述金属环层为未封闭结构的倒E结构，用于对所述n电极的外延层结构区域进行包裹，且与所述n电极不连接。

7.根据权利要求5所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述紫外LED倒装芯片还包括：基板结构；

其中，所述基板结构包括：在所述第一方向上依次设置的金属布线层、AlN层、导电银浆层以及基板。

8.根据权利要求1所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述P型导电层包括：P型AlGaN层以及P型GaN层；

其中，所述P型AlGaN层以及P型GaN层在所述第一方向上依次设置于所述电子阻挡层与所述反射层之间。

9.根据权利要求1所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述重掺杂n型AlGaN层的厚度为1.7um-1.9um，包括端点值。

10.根据权利要求1所述的紫外LED倒装芯片，其特征在于，所述轻掺杂n型AlGaN层的厚度为0.1um-0.3um，包括端点值。