[实用新型]一种紫外LED光源倒装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体发光元器件封装技术领域，更具体地说，尤其涉及一种紫外LED光源倒装结构。

背景技术

随着科学技术的不断发展，与常规的紫外光源相比较，紫外LED光源是一种冷光源，具有无热辐射、寿命长且不受开关频率的影响、能量高、照射均匀、效率高以及不含有毒物质等特点，广泛应用于生物医疗检测、杀菌消毒除臭、印刷、固化、数据存储以及通信探测等领域。

但是，现有存在的紫外LED光源的衬底、各个外延层以及接触电极等使用材料内部存在表面裂纹以及晶体质量差等问题；并且在后续固晶、封装等工艺过程中，存在紫外LED光源芯片尺寸小、制备工艺复杂难度高、散热性差、耐大脉冲电流冲击能力弱、电压浪涌打击大、发光面积小、亮度差、发光效率低以及静电释放危害等问题。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供了一种紫外LED光源倒装结构，该紫外LED光源倒装结构具有防漏电、发光效率高、电压浪涌小、防静电释放危害、散热快、抗老化及可靠性高等优点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种紫外LED光源倒装结构，所述紫外LED光源倒装结构包括：

衬底；

设置在所述衬底上的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底、且由所述衬底指向所述外延层结构；

贯穿所述金属反射层以及部分所述电流扩展层的第一电极凹槽；

贯穿所述n型导电层、所述量子阱有源区、所述电子阻挡层、所述p型导电层、所述电流扩展层以及所述金属反射层的第二电极凹槽；

与所述第一电极凹槽接触连接的p电极，与所述第二电极凹槽接触连接的n电极；

设置于所述外延层结构背离所述衬底一侧的环形金属条结构，所述环形金属条结构对所述p电极以及所述n电极进行环形包裹，且与所述p电极连接，与所述n电极不连接。

优选的，在上述紫外LED光源倒装结构中，所述紫外LED光源倒装结构还包括：钝化层；

其中，所述钝化层覆盖所述外延层结构的表面。

优选的，在上述紫外LED光源倒装结构中，所述p型导电层包括：p型AlGaN层以及p型GaN层；

其中，所述p型AlGaN层以及p型GaN层在所述第一方向上依次设置于所述电子阻挡层与所述电流扩展层之间。

优选的，在上述紫外LED光源倒装结构中，所述紫外LED光源倒装结构还包括：

设置于所述第二电极凹槽底部的金属层；

分别设置于所述第一电极凹槽内部侧壁以及所述第二电极凹槽内部侧壁的绝缘层；

分别设置于所述第一电极凹槽内部侧壁以及所述第二电极凹槽内部侧壁背离所述绝缘层一侧的电极接触结构。

优选的，在上述紫外LED光源倒装结构中，所述紫外LED光源倒装结构还包括：

与所述p电极以及所述n电极连接的散热衬底。

优选的，在上述紫外LED光源倒装结构中，所述紫外LED光源倒装结构还包括：

设置于所述散热衬底表面，且与所述p电极以及所述n电极接触连接的薄膜导电层。

优选的，在上述紫外LED光源倒装结构中，所述紫外LED光源倒装结构还包括：

设置于所述薄膜导电层与所述散热衬底之间的金属布线层。

优选的，在上述紫外LED光源倒装结构中，所述紫外LED光源倒装结构还包括：

与所述散热衬底固定连接的基座；

设置与所述基座与所述散热衬底之间的导电银浆层。

优选的，在上述紫外LED光源倒装结构中，所述紫外LED光源倒装结构还包括：

用于封装紫外LED光源的支架，以及与所述支架相匹配的密封透镜。

优选的，在上述紫外LED光源倒装结构中，所述紫外LED光源倒装结构还包括：

设置于所述支架内侧的直角三角形的反光杯，以及设置于所述反光杯、所述外延层结构以及所述密封透镜之间的发光填充材料。