[实用新型]电磁炉

说明书

技术领域

本实用新型涉及家用电器技术领域，尤其涉及一种电磁炉。

背景技术

电磁炉产品的电路板上布置有绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)。IGBT是电磁炉中必需的重要元器件，用于将直流电源逆变为高频交流电，从而使电磁炉中的线圈产生感应磁场。IGBT高频的转换工作会产生巨大的热量，如果温度超过某一限值极易烧毁。所以需要检测IGBT的温度。

为了检测IGBT的温度，目前，在IGBT的引脚旁设置有温度传感器，温度传感器与IGBT的引脚连接。当温度传感器探测到IGBT的引脚的温度超过某一限值时，IGBT进入保护工作模式，间歇性加热或停止加热。

但是，在上述方案中，温度传感器探测到的是IGBT引脚的温度，导致IGBT温度检测的准确性较低，进而影响了IGBT工作模式的控制准确性。

实用新型内容

为了解决背景技术中提到的至少一个问题，本实用新型提供一种电磁炉，通过在温度传感器以及与IGBT紧贴的散热片之间设置导热层，提高了温度传感器检测获得的IGBT温度的准确性。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种电磁炉，包括IGBT和温度传感器，所述IGBT贴设有第一散热片，所述温度传感器与所述第一散热片之间设置有第一导热层。

如上所述的电磁炉，通过温度传感器与第一散热片之间设置的第一导热层，温度传感器可以间接探测IGBT本体的温度。提升了IGBT温度的检测准确性，进而提升了IGBT工作模式控制的准确性。

在本实用新型的一实施例中，所述温度传感器的引脚与所述IGBT的引脚连接。

如上所述的电磁炉，温度传感器既可以探测到IGBT引脚的温度，又可以通过第一导热层和第一散热片间接探测到IGBT本体的温度，从而获得了更精准的IGBT温度，进一步提升了IGBT温度的检测准确性。

在本实用新型的一实施例中，所述温度传感器设置在所述第一散热片下方。

在本实用新型的一实施例中，所述第一导热层为下列中的任意一种：导热硅脂导热层、导热硅胶导热层和导热泡棉导热层。

在本实用新型的一实施例中，所述IGBT与所述第一散热片之间设置有第二导热层。

如上所述的电磁炉，通过设置第二导热层，IGBT工作时产生的热量可以通过第二导热层迅速的传递至第一散热片上，提升了热传导速度，进而温度传感器可以快速的探测到IGBT本体的温度，进一步提升了IGBT温度检测的实时性。

在本实用新型的一实施例中，所述IGBT和所述温度传感器设置在线路板上。

在本实用新型的一实施例中，所述第一散热片上设置有第一通孔，所述IGBT上设置有与所述第一通孔位置对应的第二通孔，所述线路板上设置有与所述第一通孔位置对应的第三通孔；

所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔中用于插入固定件。

如上所述的电磁炉，通过在第一散热片上、IGBT上以及线路板上分别设置位置对应的第一通孔、第二通孔和第三通孔，在位置对应的第一通孔、第二通孔和第三通孔中插入固定件，可以固定第一散热片、IGBT和线路板之间的相对位置。

在本实用新型的一实施例中，所述线路板上还设置有桥堆，所述桥堆贴设有第二散热片。

如上所述的电磁炉，IGBT和桥堆分别锁附在两个不同的散热片上，在线路板上形成两个分离的发热区域。由于两个分离的发热区域具有一定的间隔，因此IGBT和桥堆工作时产生的热量可以更好的散发出去，使得线路板上的温度分布更加合理，避免了电磁炉的线路板上形成温度过高的高温环境，保护了线路板上的元器件。

在本实用新型的一实施例中，所述第一散热片与所述第二散热片之间的最小距离大于或者等于50毫米。

如上所述的电磁炉，考虑到线路板的尺寸以及散热效果，当第一散热片与第二散热片之间的最小距离大于或者等于50毫米时，可以进一步提升散热效果，使得线路板上的温度分布更加合理。

在本实用新型的一实施例中，所述桥堆与所述第二散热片之间设置有第三导热层。

如上所述的电磁炉，通过在桥堆与第二散热片之间设置第三导热层，可以将桥堆工作时产生的热量通过第三导热层迅速的传导给第二散热片，提升了热传导速度，从而进一步提升了散热片的散热效果。

在本实用新型的一实施例中，所述温度传感器为NTC温度传感器。

本实用新型的构造以及它的其他实用新型目的及有益效果将会通过结合附图而对优选实施例的描述而更加明显易懂。

附图说明