[实用新型]硅片清洗架有效
申请号: | 201721241832.8 | 申请日: | 2017-09-26 |
公开(公告)号: | CN207250475U | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 王会敏;张浩强;李立伟;张稳 | 申请(专利权)人: | 邢台晶龙电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人: | 米文智 |
地址: | 054001 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 清洗 | ||
技术领域
本实用新型涉及硅片清洗装置技术领域,尤其涉及一种硅片清洗架。
背景技术
随着大规模集成电路的发展,集成度的不断提高,线宽的不断减小,对硅片的质量要求也越来越高,特别是对硅片的表面质量要求越来越严。这主要是因为硅片抛光面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率。在目前的集成电路生产中,硅片清洗不彻底,可能使全部硅片报废,或者制造出来的器件性能低劣,稳定性和可靠性很差。
目前,硅片清洗多采用物理清洗方法。一是刷洗或擦洗:可去除硅片表面的颗粒污染和大多数粘在硅片上的薄膜,但是如果操作不当会在硅片表面产生划痕而影响硅片表面质量,而且工作效率低下,劳动强度较大。二是高压清洗:靠喷射作用清洗硅片不易产生划痕和损伤,但高压喷射会产生静电作用。三是采用超声波清洗,超声波能传入溶液,靠气蚀作用洗掉硅片上的污染物。但是,如果去除硅片上小于1微米的颗粒则比较困难,需要通过提高超声波频率才能去除,而现有的清洗设备由于设计不合理,盛放硅片的清洗篮是放置在钢丝网上的,若提高超声波频率,清洗篮会振动加剧,反而会对硅片造成损坏,智能以较低的频率进行清洗。
实用新型内容
本实用新型是提供一种硅片清洗架,旨在解决上述现有技术中提高超声波清洗频率会对硅片造成损坏的技术问题。
为解决上述技术问题,本实用新型所采取的技术方案是:
一种硅片清洗架,包括能够放置到超声波清洗池内的清洗筐,所述清洗筐内设若干个硅片放置区,所述硅片放置区上下为敞口状,相邻硅片放置区间设有支撑台,用于盛放硅片的清洗篮两侧凸檐能够放置在支撑台上。
优选地,所述硅片放置区并列设置在清洗筐的内部空间内,所述支撑台为若干个、且设置在硅片放置区两侧。
优选地,所述清洗筐为矩形框架式结构,所述清洗筐的四边均包括上边框和下边框,所述上边框与下边框的对应四角部位通过立柱固定相连,所述支撑台的左右两端与清洗筐的左右两侧上边框固定相连。
优选地,所述清洗筐底部对应的下边框间水平设有交叉相连的横向加强筋和纵向加强筋,所述横向加强筋和纵向加强筋端部分别与四周下边框焊接固定,所述支撑台对应设置在横向加强筋上方。
优选地,所述支撑台包括水平上托架和下支撑杆,所述上托架为中部镂空的长方形,所述上托架为两个以上、且沿横向加强筋长度方向间隔设置,所述清洗筐的左右两侧上边框通过上连接杆与上托架短边相连;所述下支撑杆上端与上托架的短边相连、下端与横向加强筋固定相连;相邻上托架间距离小于清洗篮宽度。
优选地,所述清洗筐的前后两侧上边框内侧设有端部托架,所述端部托架为中部镂空的长方形,所述端部托架短边宽度为上托架短边的一半。
优选地,所述清洗筐的左右两侧上边框与下边框之间设有垂直加强筋。
优选地,所述清洗筐的前后两侧外部均设有两个以上的把手。
优选地,所述把手固定在安装板上,所述安装板两侧焊接固定在立杆上,所述立杆上下两端分别与上边框、下边框焊接固定。
优选地,所述把手下方设有肋板,所述肋板两端与立柱固定相连,所述肋板中部与立杆焊接固定。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:与现有技术相比,本实用新型通过硅片放置区两侧的支撑台对盛放硅片的清洗篮进行支撑,可将清洗篮架空在清洗筐内,清洗筐置于敞口状的硅片放置区内,使清洗篮内硅片置于超声波清洗池内的清洗液中,能够利用高频率超声波对硅片进行清洗,使清洗池底部超声波更好地作用到硅片表面,提升了硅片清洗的洁净度,保证了硅片清洗质量。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的一种硅片清洗架的结构示意图;
图2是图1中硅片清洗架的使用状态示意图;
图中:1-硅片放置区,2-支撑台,3-清洗篮,4-上边框,5-下边框,6-立柱,7-横向加强筋,8-纵向加强筋,9-上托架,10-下支撑杆,11-上连接杆,12-端部托架,13-垂直加强筋,14-把手,15-安装板,16-立杆,17-水平立板。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及具体实施例,对本实用新型作进一步详细的说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于邢台晶龙电子材料有限公司,未经邢台晶龙电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721241832.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种改进结构的二极管可叠加料盘
- 下一篇:一种用于二极管封装用的翻转机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造