[实用新型]电子电路以及相应的超声设备

权利要求书

1.一种电路，其特征在于，包括：

第一端子和第二端子；

电阻信号路径；

二极管信号路径，包括以相反极性耦合的一对二极管；和

开关，其耦合到所述电阻信号路径和所述二极管信号路径，所述开关可在第一状态和第二状态之间切换，并且配置为在第一状态下通过所述电阻信号路径耦合所述第一端子和第二端子，以及配置为在所述第二状态下通过所述二极管信号路径耦合所述第一端子和第二端子。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述二极管信号路径包括一对反并联二极管。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，还包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个具有带有导通电阻的电流路径，所述第一晶体管和第二晶体管的电流路径在所述第一端子和第二端子之间彼此并联耦合，并且其中所述电阻信号路径包括所述第一晶体管和第二晶体管的电流路径的所述导通电阻的并联连接。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述开关被配置为控制所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述第一状态下导通，并且被配置为控制所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述第二状态下非导通。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，还包括：

第一驱动线，其被配置为在所述第一状态和所述第二状态分别耦合到相反的第一驱动电压和第二驱动电压；

第二驱动线，其被配置为在所述第二状态和所述第一状态分别耦合到相反的所述第一驱动电压和所述第二驱动电压；

第一晶体管放电电路，其耦合在所述第一驱动线与所述第一晶体管的电流路径之间，所述第一晶体管放电电路耦合到所述第一晶体管的控制端，并包括耦合到所述第二驱动线的控制端，所述第一晶体管放电电路被配置为在所述第一状态下非导通并且在所述第二状态下导通；以及

第二晶体管放电电路，其耦合在所述第二驱动线与所述第二晶体管的电流路径之间，所述第二晶体管放电电路耦合到所述第二晶体管的控制端，并包括耦合到所述第一驱动线的控制端，所述第二晶体管放电电路被配置为在所述第一状态下非导通并且在所述第二状态下导通。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，

所述第一晶体管放电电路包括耦合在所述第一驱动线和所述第一晶体管的控制端之间的第一放电晶体管，以及耦合在所述第一晶体管的电流路径和控制端之间的第一二极管；以及

所述第二晶体管放电电路包括耦合在所述第二驱动线和所述第二晶体管的控制端之间的第二放电晶体管，以及耦合在所述第二晶体管的电流路径和控制端之间的第二二极管。

7.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，

所述第一晶体管放电电路包括耦合到所述第一驱动线、并具有耦合到所述第二驱动线的控制端的第一放电晶体管；以及

第二晶体管放电电路包括耦合到所述第二驱动线、并具有耦合到所述第一驱动线的控制端的第二放电晶体管。

8.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，

所述第一晶体管放电电路包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管具有电流路径和耦合到所述第一驱动线的主体；以及

所述第二晶体管放电电路包括第二放电场效应晶体管，所述第二放电场效应晶体管具有电流路径和耦合到所述第二驱动线的主体。

9.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管包括第一场效应晶体管，第二晶体管包括第二场效应晶体管，所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每一个包括源极、漏极、主体和形成在场效应晶体管的主体和漏极之间的阱二极管，并且其中所述二极管信号路径包括所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的阱二极管。

10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管具有相反的极性，其中主体耦合在一起，并且还包括在所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的主体和源极之间的电阻器。

11.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管具有相同的极性，其中源极耦合在一起，漏极耦合在一起，并且第一电阻器耦合在所述第一场效应晶体管的源极和主体之间，第二电阻器耦合在所述第二场效应晶体管的源极和主体之间。