[实用新型]一种新型硅太阳电池正面电极有效
| 申请号： | 201721245851.8 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN207883701U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 夏金才;肖剑峰;黄志林;蒋旭东 | 申请（专利权）人： | 日地太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/04 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 毛翔威 |
| 地址： | 315803 浙江省宁波市北仑区小港街*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 主栅线 镂空状 细栅线 硅太阳电池 正面电极 偶数根 镂空槽 本实用新型 垂直连接 方向一致 输送过程 阵列分布 阵列形式 电性能 导通 断栅 排布 银浆 电路 保证 输出 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型硅太阳电池正面电极，包括四根平行排列的主栅线（1）及与所述主栅线（1）垂直连接的偶数根细栅线（2），并且上述主栅线（1）与细栅线（2）相互导通，其特征是：在每一根主栅线（1）上设有沿主栅线（1）的分布方向并按阵列形式排布的镂空状阵列（3），且所述的镂空状阵列（3）包含一个以上的镂空状单元（6），每一个镂空状单元（6）包含一个以上与镂空状阵列（3）分布方向一致的镂空槽（4），且每一个所述镂空槽（4）的长宽均小于主栅线（1）对应的长宽，偶数根细栅线（2）两两通过银浆（5）连接。
2.根据权利要求1 所述的一种新型硅太阳电池正面电极，其特征是：每一条主栅线（1）以三段式结构间隔分布，且头围段的尺寸相等。
3.根据权利要求1 或2所述的一种新型硅太阳电池正面电极，其特征是：所述主栅线（1）的宽度为0.8-1.1mm；所述细栅线（2）的宽度为0.010～0.040mm。
4.根据权利要求1 或2所述的一种新型硅太阳电池正面电极，其特征是：在主栅线（1）与细栅线（2）连接处的0.4-0.6mm这部分连接段（7）的分布方式是：从主栅线（1）连接处开始由线宽0.08-0.10mm渐变到与细栅线（2）一样的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
