[实用新型]一种光刻机用分区控制真空吸盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及光刻机的真空吸盘领域，具体是涉及一种光刻机用分区控制真空吸盘。

背景技术

光刻机又名掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。一般的光刻工艺要经历圆片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻工艺是用光来制作一个图形，在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片表面匀胶，将掩模版上的图形转移至光刻胶上，光刻机通过真空吸盘吸附Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片，将器件或电路结构临时“复制”到Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片上。

现有光刻机的真空吸盘吸附不同规格的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片时，都是所有区域的气孔或气环同时打开，导致在吸附较小尺寸的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片时造成资源浪费。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了克服上述背景技术的不足，提供一种光刻机用分区控制真空吸盘，通过各真空区的电磁阀进行分区控制，真空吸盘吸附不同规格的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片时，各真空区的电磁阀分别控制该真空区的吸气口打开、闭合，通过控制进行真空吸附的环形区域的数量，控制真空吸附区的大小，根据所吸附Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片的实际尺寸，灵活合理地利用资源，避免资源浪费。

本实用新型提供一种光刻机用的分区控制真空吸盘，该真空吸盘包括吸盘本体、真空发生器、管路，该真空吸盘还包括若干电磁阀，所述吸盘本体的横截面为圆形，以横截面的中点为共同圆心，在横截面上规划若干同心圆，吸盘本体按照横截面上规划的若干同心圆进行分区控制：正中间的最小圆形区域为一个区域，沿横截面的半径方向每往外一环的环形区域各自形成一个区域，每个区域开有多个气孔，气孔下方为真空环，该区域形成真空区；所有真空区共用一台真空发生器，各真空区的吸气口均通过管路与真空发生器相连，每个真空区的管路设置有一个电磁阀，控制该真空区吸气口的开闭，通过控制进行真空吸附的环形区域的数量，控制真空吸附区的大小。

在上述技术方案的基础上，所述吸盘本体的横截面上相邻圆环的间距为一英寸。

在上述技术方案的基础上，所述吸盘本体的横截面上相邻圆环的间距为一英寸，6英寸及以下规格的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片通过对应规格同心圆边缘的直线定位线进行定位对准。

在上述技术方案的基础上，所述吸盘本体的横截面上相邻圆环的间距为一英寸，6英寸以上规格的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片通过对应规格同心圆边缘的圆弧定位线进行定位对准。

与现有技术相比，本实用新型的优点如下：

(1)本实用新型中的真空吸盘包括吸盘本体、真空发生器、管路、若干电磁阀，吸盘本体的横截面为圆形，以横截面的中点为共同圆心，在横截面上规划若干同心圆，吸盘本体按照横截面上规划的若干同心圆进行分区控制：正中间的最小圆形区域为一个区域，沿横截面的半径方向每往外一环的环形区域各自形成一个区域，每个区域开有多个气孔，气孔下方为真空环，该区域形成真空区；所有真空区共用一台真空发生器，各真空区的吸气口均通过管路与真空发生器相连，每个真空区的管路设置有一个电磁阀，控制该真空区吸气口的开闭，通过控制进行真空吸附的环形区域的数量，控制真空吸附区的大小。本实用新型中的光刻机的真空吸盘通过各真空区的电磁阀进行分区控制，真空吸盘吸附不同规格的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片时，各真空区的电磁阀分别控制该真空区的吸气口打开、闭合，通过控制进行真空吸附的环形区域的数量，控制真空吸附区的大小，根据所吸附Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片的实际尺寸，灵活合理地利用资源，避免资源浪费。

(2)本实用新型中的吸盘本体的横截面上相邻圆环的间距为一英寸时，6英寸及以下规格的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片可以通过对应规格同心圆边缘的直线定位线进行定位对准，6英寸以上规格的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体圆片可以通过对应规格同心圆边缘的圆弧定位线进行定位对准。

附图说明

图1是本实用新型实施例中光刻机用的分区控制真空吸盘的吸盘本体的立体结构示意图。

图2是图1的侧视图。

图3是图1的俯视图。

附图标记：1-吸盘本体，2-气孔，3-直线定位线，4-圆弧定位线。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细描述。