[实用新型]一种具有沟道截止环的可控硅有效
| 申请号： | 201721251978.0 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN207233740U | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 邹有彪;徐玉豹;刘宗贺;廖航 | 申请（专利权）人： | 安徽富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 沟道 截止 可控硅 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有沟道截止环的可控硅，其特征在于：包括N型半导体基体，位于N型半导体基体上下两侧的P型基区，位于N型半导体基体两侧的P+型隔离扩散区，位于N型半导体基体上端面的沟槽(3)，位于上侧P型基区内的N+型阴极区(4)，位于N+型阴极区4间的门极(2)，位于N+型阴极区和门极(2)之间的沟道截止环(1)，以及位于下侧P型基区表面的阳极金属电极A、位于门极(2)上表面的门极金属电极G和N+型阴极区(4)上表面的阴极金属电极K。
2.根据权利要求1所述的一种具有沟道截止环的可控硅，其特征在于：所述沟道截止环(1)为P+型沟道截止环或N+型沟道截止环。
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