[实用新型]一种改善low-k薄膜均一性的装置有效

专利信息
申请号: 201721252681.6 申请日: 2017-09-27
公开(公告)号: CN207765407U 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 钟飞;许隽;王科;韩晓刚 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 201200 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 直线导轨 圆弧形块 反应室 滑动块 插块 狭缝 薄膜均一性 本实用新型 竖直伸缩杆 狭缝阀 滑槽 空间结构 机台 薄膜均匀性 薄膜稳定性 反应室结构 一步进电机 设计优化 适配连接 一端连接 相接面 圆弧形 底端 底面
【权利要求书】:

1.一种改善low-k薄膜均一性的装置,包括反应室(1)和狭缝阀(2),其特征在于:还包括一狭缝插块(3),所述狭缝插块(3)设置有:

一圆弧形块(31),所述圆弧形块(31)与反应室(1)相对的面为圆弧形;

一滑动块(32),所述滑动块(32)与圆弧形块(31)的底面连接,所述滑动块(32)底部设置左右两滑槽(33);

两直线导轨(34),所述直线导轨(34)与滑槽(33)适配连接;

一步进电机(35),与所述直线导轨(34)一端连接;

两竖直伸缩杆(36),所述竖直伸缩杆(36)与所述直线导轨(34)的底端连接。

2.根据权利要求1所述的改善low-k薄膜均一性的装置,其特征在于:所述圆弧形块(31)与滑动块(32)之间滑轨(37)连接。

3.根据权利要求2所述的改善low-k薄膜均一性的装置,其特征在于:所述圆弧形块(31)侧面设置微型电机(38)。

4.根据权利要求3所述的改善low-k薄膜均一性的装置,其特征在于:所述微型电机(38)前端连接螺纹杆(39),所述螺纹杆(39)连接圆弧形块(31)。

5.根据权利要求1所述的改善low-k薄膜均一性的装置,其特征在于:所述狭缝插块(3)未升起时高度不高于所述狭缝阀(2)下表面高度。

6.根据权利要求1所述的改善low-k薄膜均一性的装置,其特征在于:所述狭缝插块(3)升起时高度与反应室(1)内的晶圆高度一致。

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