[实用新型]超级电容充电电路有效
申请号: | 201721256814.7 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN207410057U | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 戴银斌;叶孟军;王培慧 | 申请(专利权)人: | 宁波三星医疗电气股份有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙) 11466 | 代理人: | 黄启行;张璐 |
地址: | 315000 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超级电容充电 充电电路 过流保护电路 过压保护电路 超级电容 门限 充电 电路 本实用新型 保护功能 充电电流 充电芯片 | ||
1.超级电容充电电路,包括充电电路(1),所述的充电电路(1)用于给超级电容充电,其特征在于,还包括过流保护电路(2)和过压保护电路(3),所述的过流保护电路(2)连接充电电路(1),当超级电容的充电电流达到过流门限值时,充电关闭,所述的过压保护电路(3)连接充电电路(1),当超级电容电压到达过压门限值时,充电关闭。
2.根据权利要求1所述的超级电容充电电路,其特征在于,所述的充电电路(1)包括第一二极管(VD1)、第一电解电容(CE1)、第一电阻(R1)、第一PMOS管(M1)、第一电感(L1)、第二电阻(R2)、第二二极管(VD2)、第三电阻(R3)、第一NPN三极管(V1),所述的第三电阻(R3)连接有CONTROL信号输入端,所述的CONTROL信号输入端处于高电位。
3.根据权利要求1所述的超级电容充电电路,其特征在于,所述的过流保护电路(2)包括第九电阻(R9)、第一瓷片电容(C1)、第六电阻(R6)和第三NPN三极管(V3),通过调整第九电阻(R9)的大小来设置过流门限值,当充电电流达到过流门限值时,第九电阻(R9)上产生的电压大于第三NPN三极管(V3)的导通电压值,使第三NPN三极管(V3)导通,充电关闭。
4.根据权利要求3所述的超级电容充电电路,其特征在于,所述的过压保护电路(3)包括第四电阻(R4)、第七电阻(R7)、第二瓷片电容(C2)、电压检测芯片(N1)、第八电阻(R8)、第五电阻(R5)、第二NPN三极管(V2),电压检测芯片(N1)通过调整第四电阻(R4)和第七电阻(R7)的大小来设置过压门限值,当超级电容电压到达门限值时,电压检测芯片(N1)输出高电频使第二NPN三极管(V2)导通,从而使第一NPN三极管(V1)断开,充电关闭。
5.根据权利要求4所述的超级电容充电电路,其特征在于,CONTROL信号输入端连接第三电阻(R3)的一端,所述的第三电阻(R3)的另一端连接第一NPN三极管(V1)的基极、第二NPN三极管(V2)的集电极以及第三NPN三极管(V3)的集电极,第一二极管(VD1)的正极连接电压输入端(VIN),负极连接第一电解电容(CE1)的一端,第一电解电容(CE1)另一端接地,第一电解电容(CE1)的一端还连接第一电阻(R1)的一端,第一电阻(R1)的另一端连接第一NPN三极管(V1)的集电极,第一电阻(R1)的一端连接第一PMOS管(M1)的源极,第一PMOS管(M1)的栅极连接第二电阻(R2)的一端,第二电阻(R2)的另一端连接第一NPN三极管(V1)的集电极,第一PMOS管(M1)的漏极连接第二二极管(VD2)的负极,第二二极管(VD2)的正极接地,第二二极管(VD2)的负极连接第一电感(L1)的一端,第一电感(L1)的另一端连接超级电容接口的2脚,超级电容的1脚连接第九电阻(R9)。
6.根据权利要求5所述的超级电容充电电路,其特征在于,所述的第九电阻(R9)的一端接地,第九电阻(R9)的一端连接第一瓷片电容(C1)的一端,第九电阻(R9)的另一端连接第一瓷片电容(C1)的另一端,第九电阻(R9)的另一端连接第六电阻(R6)的一端,第六电阻(R6)的另一端连接第三NPN三极管(V3)的基极,所述的第三NPN三极管(V3)的发射极接地。
7.根据权利要求6所述的超级电容充电电路,其特征在于,所述的第四电阻(R4)的一端连接超级电容正极,另一端连接第七电阻(R7)的一端,第四电阻(R4)的另一端连接第二瓷片电容(C2)的一端,第七电阻(R7)的另一端连接第二瓷片电容(C2)的另一端,第二瓷片电容(C2)的一端连接电压检测芯片(N1)的3脚,第二瓷片电容(C2)的另一端连接电压检测芯片(N1)的1脚,所述的电压检测芯片(N1)的1脚接地,电压检测芯片(N1)的2脚连接第八电阻(R8)的一端,所述的电压检测芯片(N1)的1脚连接第八电阻(R8)的另一端,所述的第八电阻(R8)的一端连接第五电阻(R5)的一端,第五电阻(R5)的另一端连接第二NPN三极管(V2)的基极,第二NPN三极管(V2)的发射极接地。
8.根据权利要求2所述的超级电容充电电路,其特征在于,所述的CONTROL信号输入端连接处理器。
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