[实用新型]一种降低黑硅纯水耗量的控制系统有效
申请号: | 201721259044.1 | 申请日: | 2017-09-28 |
公开(公告)号: | CN207896102U | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 陈园;魏秀平;付少剑;杨晓琴;肖文明;黄明 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 南昌恒桥知识产权代理事务所(普通合伙) 36125 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溢流水 控制系统 漂洗槽 进水管道 电磁阀 进水管 黑硅 配水 流量计 本实用新型 单独设置 精准控制 时间界面 精细化 流量阀 水耗量 漂洗 节拍 连通 花篮 水资源 分流 停留 节约 | ||
本实用新型具体涉及一种降低黑硅纯水耗量的控制系统,其中:漂洗槽的一侧分别与溢流水进水管道与初配水进水管道的一端相连通;所述的初配水进水管道上安装有电磁阀;所述的溢流水进水管道上从左往右依次安装有流量阀、电磁阀、流量计通过改变漂洗槽溢流水控制系统,单独设置漂洗时间界面,避免花篮因异常或节拍问题停留在槽内导致溢流水无法关闭而浪费水资源;同时对溢流水分流精细化处理来精准控制溢流水流量,降低漂洗槽水耗量,达到纯水节约的目的。
技术领域
本实用新型涉及一种降低黑硅纯水耗量的控制系统,属于太阳能光伏技术领域。
背景技术
湿法黑硅技术近年来受各大太阳能电池制造公司的青睐,由于它能适应低成本切片技术生产的硅片,设备投入成本少,且光电转换效率提升幅度大。黑硅太阳能电池的生产过程中,湿法黑硅制绒设备在整个太阳能电池生产线上起到至关重要的作用,我司使用的黑硅制绒设备为无锡琨圣黑硅制绒设备。黑硅制绒涉及到的槽体多达32个,每台机纯水耗量重达到5.5T/H,这对水动力系统是一个不小的挑战。传统溢流水是由槽内是否有花篮来决定开关,而花篮停留在漂洗槽中有两种可能性,一、按工艺设定花篮需要漂洗;二、花篮因为设备故障或工艺时间节拍问题,暂时无法提篮。当因为第二种原因而导致花篮停留在漂洗槽内,溢流则是一种纯水浪费。再者原始设计漂洗槽初配水与溢流水共用管路,初配水只需要加液到指定液位就可以关闭,不会造成水浪费问题,而溢流对水流量和时间均会影响到纯水耗量。
实用新型内容
本实用新型的技术方案是通过改变溢流水控制系统,增设漂洗槽溢流水时间控制程序和操作界面,准确控制溢流时间,使花篮因异常或节拍问题停留在槽体内,溢流水在设定时间后会停止溢流,减少水的浪费;另外,本实用新型将初配水管道与溢流水管道分开,对其分开控制,在溢流水管道上增加流量阀和流量计,便于精准控制溢流水流量,减小因流量大小无法控制而导致水资源的浪费。
一种降低黑硅纯水耗量的控制系统,包括:电磁阀;漂洗槽;流量计;流量阀;溢流水进水管道;初配水进水管道;水质检测装置;导管;水槽;导槽;矩形块;通孔;塞条;气压缸;其中:漂洗槽的一侧分别与溢流水进水管道与初配水进水管道的一端相连通;所述的初配水进水管道上安装有电磁阀;所述的溢流水进水管道上从左往右依次安装有流量阀、电磁阀、流量计;上述的电磁阀、流量计、流量阀均分别通过导线与PLC控制器相连。
一种降低黑硅纯水耗量的控制系统,其中:所述的漂洗槽的左侧固定的安装有一个矩形块;所述的矩形块的左侧端面上开设有均匀分布的贯穿了矩形块与漂洗槽外壁的通孔;所述的矩形块的上端面上设置有一个贯穿了矩形块上下端面且与所有的通孔的中部均连通的导槽;所述的导槽内设置有一个塞条;塞条的下端通过活塞杆与气压缸相连;所述的气压缸通过支架固定在漂洗槽上;所述的矩形块的左侧安装有一个透明的水槽;所述的所有的通孔均与水槽的内腔相连通;所述的水槽的底部分别与溢流水进水管道的一端、导管的一端相连通。
一种降低黑硅纯水耗量的控制系统,其中:所述的导管的另一端与水质检测装置相连。
本实用新型的有益效果为:
通过改变漂洗槽溢流水控制方式,避免花篮因异常或节拍问题停留在槽内导致溢流水无法关闭而浪费水资源;同时溢流水进水管道分流精细化处理来控制溢流水流量,降低漂洗槽水耗量,达到纯水节约的目的。
附图说明
图1是本实用新型的整体布局图;
图2是本实用新型的矩形块的结构示意图;
附图标记:2、电磁阀;3、漂洗槽;4、流量计;5、流量阀;6、溢流水进水管道;7、初配水进水管道;8、水质检测装置;9、导管;11、水槽;12、导槽;13、矩形块;14、通孔;15、塞条;16、气压缸。
具体实施方式
下面结合说明书附图和具体实施方式对本实用新型做进一步介绍。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的