[实用新型]一种分散进液的进液结构及具有该结构的刻蚀装置有效
| 申请号： | 201721261502.5 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN207818528U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李伟 | 申请（专利权）人： | 北京创昱科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 102209 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应槽 进液口 进液 进液结构 分液板 固定架 本实用新型 刻蚀装置 半导体生产设备 工艺过程 均匀分流 液体流速 有效减少 均匀性 破碎率 打散 光伏 分流 加工 保证 | ||
1.一种分散进液的进液结构，其特征在于，包括反应槽、固定架、进液口和分液板，所述固定架固定在反应槽内，且用于固定待处理的产品，所述反应槽上设有进液口，所述分液板设置在所述进液口与固定架之间，由所述进液口进入反应槽内的液体、通过所述分液板均匀分流。
2.根据权利要求1所述的进液结构，其特征在于，所述进液口和固定架之间设有挡板，所述分液板设置在所述进液口和挡板之间。
3.根据权利要求2所述的进液结构，其特征在于，所述挡板的面积大于或等于所述固定架的截面面积。
4.根据权利要求1所述的进液结构，其特征在于，所述分液板上贯通设有一个或多个分液孔；
所述分液孔为一个时，所述分液孔内沿轴向分布有多个分流道；
所述分液孔为多个时，多个所述分液孔成蜂窝状均匀分布在所述分液板上。
5.根据权利要求4所述的进液结构，其特征在于，所述分液孔的截面形状为圆形、椭圆形和多边形中的一种或几种的组合。
6.根据权利要求1所述的进液结构，其特征在于，所述进液口设置在反应槽的底部、顶部或侧壁上。
7.根据权利要求1-6任一项所述的进液结构，其特征在于，所述分液板与进液口之间设有缓冲腔。
8.根据权利要求7所述的进液结构，其特征在于，所述分液板与进液口之间固定有支撑板，通过所述支撑板将所述分液板与进液口之间围成所述缓冲腔。
9.根据权利要求7所述的进液结构，其特征在于，所述固定架的外围设有多个相互连接的所述分液板，每个所述分液板的端部之间通过挡板连接，以将所述反应槽的内壁与分液板之间分隔成所述缓冲腔，所述进液口与缓冲腔连通。
10.一种刻蚀装置，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的进液结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
