[实用新型]一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置

权利要求书

1.一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置，其特征在于：由宽带光源（1），入射光纤（2），高掺锗光纤（3），出射光纤（4），光纤光谱仪（5），高掺锗光纤光栅（6），锥区（7），磁流体（8），石英毛细管（9），UV胶（10），磁场发生器（11）和温度控制箱（12）组成；宽带光源（1）与入射光纤（2）的左端连接；入射光纤（2），高掺锗光纤（3）和出射光纤（4）依次熔接，出射光纤（4）的右端与光纤光谱仪（5）连接；高掺锗光纤（3）经倍频氩离子激光刻写形成高掺锗光纤光栅（6），再经化学腐蚀形成锥区（7），水平置于填充磁流体（8）的石英毛细管（9）的轴心处；石英毛细管（9）的两端用UV胶（10）密封，水平置于磁场发生器（11）的中部和温度控制箱（12）内。

2.根据权利要求1所述的一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置，其特征在于：所述的高掺锗光纤（3）的长度为1.5mm~4mm，纤芯直径为3µm，纤芯内GeO₂的掺杂浓度为98%，入射光纤（2）和出射光纤（4）的纤芯直径为9µm。

3.根据权利要求1所述的一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置，其特征在于：所述的高掺锗光纤光栅（6）的Bragg波长为1548nm~1552nm，透射峰强度为10dB~15dB。

4.根据权利要求1所述的一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置，其特征在于：所述的锥区（7）的直径为30µm~60µm。

5.根据权利要求1所述的一种基于高掺锗光纤探头的磁场和温度同时测量装置，其特征在于：所述的磁流体（8）的密度为1.8g/cc，饱和磁化强度为220Gauss，纳米磁性颗粒的平均直径为10nm。