[实用新型]一种发光二极管芯片及发光二极管面板

说明书

本实用新型公开了一种发光二极管芯片及发光二极管面板，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括叠层结构和P型电极，所述叠层结构包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层，所述P型电极设置在所述导电层上，所述发光二极管芯片还包括绝缘反射层，所述绝缘反射层设置在所述叠层结构的侧面的所有区域和背面的部分区域上，所述叠层结构的侧面为所述叠层结构中与所述叠层结构的层叠方向平行的表面，所述叠层结构的背面的部分区域为所述叠层结构中设置所述P型电极的表面上除所述P型电极所在区域之外的其它区域，所述P型电极和所述导电层中的一个中设有反射层。本实用新型可提高出射光线的有效利用率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片及发光二极管面板。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。芯片是LED中最重要的组成部分，广泛应用在户内和户外的显示屏上。从最先开始的电视机显示屏，发展到电脑显示屏，再发展到现在的手机显示屏，显示屏的尺寸逐渐减小，应用在显示屏上的LED芯片的尺寸也要相应减小，从而产生了尺寸大小达到微米级的微型发光二极管(英文简称：Micro LED)芯片。

Micro LED芯片一般采用垂直结构，实际应用时先在衬底上依次形成N型半导体层、发光层、P型半导体层和P型电极，再将P型电极转移到粘膜上，采用激光技术去除衬底，然后将N型半导体层固定连接在透明的N型电极板上，去除粘膜，最后将P型电极固定连接在控制电路板上即可。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

Micro LED芯片会向所有方向出射光线，但是其中只有N型电极侧出射的光线能够被有效地使用，从其它方向出射的光线都被白白浪费掉，造成出射光线的有效利用率较低。

实用新型内容

为了解决现有技术出射光线的有效利用率较低的问题，本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片及发光二极管面板。所述技术方案如下：

一方面，本实用新型实施例提供了一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括叠层结构和P型电极，所述叠层结构包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和导电层，所述P型电极设置在所述导电层上，所述发光二极管芯片还包括绝缘反射层，所述绝缘反射层设置在所述叠层结构的侧面的所有区域和背面的部分区域上，所述叠层结构的侧面为所述叠层结构中与所述叠层结构的层叠方向平行的表面，所述叠层结构的背面的部分区域为所述叠层结构中设置所述P型电极的表面上除所述P型电极所在区域之外的其它区域，所述P型电极和所述导电层中的一个中设有反射层。

可选地，所述绝缘反射层包括交替层叠的多个第一金属氧化物薄膜和多个第二金属氧化物薄膜，所述第一金属氧化物薄膜的材料的折射率与所述第二金属氧化物薄膜的材料的折射率不同，且第一金属氧化物薄膜的材料和第二金属氧化物薄膜的材料为绝缘材料。

优选地，所述第一金属氧化物薄膜的材料采用二氧化钛、二氧化硅、二氧化铪和五氧化二钽中的一种，所述第二金属氧化物薄膜的材料采用二氧化钛、二氧化硅、二氧化铪和五氧化二钽中的另一种。

优选地，所述第一金属氧化物薄膜的数量与所述第二金属氧化物薄膜的数量相同，所述第二金属氧化物薄膜的数量为2个～100个。

可选地，所述反射层包括依次层叠的金属反射层、金属粘附层和金属保护层。

优选地，所述金属反射层的材料采用银或铝，所述金属粘附层的材料采用钛或铬，所述金属保护层的材料采用铂、金或者钨。

优选地，所述金属反射层的厚度为50nm～1000nm，所述金属粘附层的厚度为0.1nm～1000nm，所述金属保护层的厚度为1nn～1000nm。