[实用新型]快充保护电路及电子设备

权利要求书

1.一种快充保护电路，其特征在于，包括：保护模块、处理模块和检测模块，

所述检测模块连接于电路的输出负端子P-和输入负端子B-之间，并与所述处理模块连接；

所述保护模块连接于电路的输出正端子P+和输入正端子B+之间，并与所述处理模块连接；

所述处理模块与电路的输入正端子B+、电路的输入负端子B-和外部控制设备连接；

所述处理模块接收所述检测模块检测的所述电路的输出负端子P-和输入负端子B-间的实时电流值并与指定电流阈值比较，所述处理模块检测所述电路输入正端子B+和输入负端子B-间的实时电压值并与指定电压阈值比较，根据比较结果控制所述保护模块连通或断开所述电路的输出正端子P+和输入正端子B+间的电连接。

2.根据权利要求1所述的快充保护电路，其特征在于，所述处理模块为保护芯片U1，

所述保护芯片U1的BAT端连接于所述电路的输入正端子B+和所述保护模块之间，所述保护芯片U1的VDD端连接于所述保护芯片U1的BAT端与所述电路的输入正端子B+之间，并与内置电源端子连接；

所述保护芯片U1的VSS端和CS端分别与所述检测模块的两端连接，且所述保护芯片U1的VSS端与所述电路输入端B-连接；

所述保护芯片U1的CHG端和DSG端分别与所述保护模块连接；

所述保护芯片U1的PACK端连接于所述保护模块与所述电路的输出正端子P+之间；

所述保护芯片U1的CTR端与外部控制设备连接。

3.根据权利要求2所述的快充保护电路，其特征在于，还包括控制模块，所述控制模块包括MOS管Q2、电阻R4、电阻R5和电阻R6，

所述保护芯片U1的CTR端通过所述电阻R4与内置电源端子连接；

所述MOS管Q2的漏极连接于所述保护芯片U1的CTR端和所述电阻R4之间，所述MOS管Q2的栅极通过所述电阻R5与外部控制设备连接，并通过所述电阻R6与地线连接，所述MOS管Q2的源极连接于所述电阻R6和地线之间。

4.根据权利要求2所述的快充保护电路，其特征在于，还包括电阻R1、电阻R2、电阻R3和电容C1，

所述保护芯片U1的BAT端通过所述电阻R2连接于所述电路的输入正端子B+和所述保护模块之间，所述保护芯片U1的VDD端通过所述电阻R1连接于所述电阻R2与所述电路的输入正端子B+之间，并与内置电源端子连接；

所述保护芯片U1的PACK端通过所述电阻R3连接于所述保护模块与所述电路的输出正端子P+之间；

所述电容C1一端连接于所述保护芯片U1的VDD端和所述电阻R1之间，另一端连接于所述保护芯片U1的VSS端和所述检测模块之间。

5.根据权利要求2所述的快充保护电路，其特征在于，还包括电容C4、电容C5，

所述电容C4的一端连接于所述保护芯片U1的PACK端与电路的输出正端子P+之间，所述电容C4的另一端与所述电容C5的一端连接；

所述电容C5的另一端接于所述保护芯片U1的CS端与电路的输出负端子P-之间。

6.根据权利要求2所述的快充保护电路，其特征在于，保护模块为过充过放保护开关Q1，

所述过充过放保护开关Q1的GATE1端与所述保护芯片U1的DSG端连接，所述过充过放保护开关Q1的GATE2端与所述保护芯片U1的CHG端连接；

所述过充过放保护开关Q1的Source1-4端分别与所述电路的输入正端子B+连接，所述过充过放保护开关Q1的Source5-8端分别与所述电路的输出正端子P+连接。

7.根据权利要求6所述的快充保护电路，其特征在于，还包括电容C2和电容C3，

所述电容C2的一端与所述过充过放保护开关Q1的Source5端连接，所述电容C2的另一端与所述电容C3的一端链接；

所述电容C3的另一端与所述过充过放保护开关Q1的Source1端连接。

8.根据权利要求1所述的快充保护电路，其特征在于，还包括温度测量模块，

所述温度测量模块包括热敏电阻TH1和电容C6，所述热敏电阻TH1的一端连接于所述检测模块和所述电路的输出负端子P-之间，另一端分别与所述电容C6的一端和外部控制设备连接；

所述电容C6的另一端连接于所述检测模块和热敏电阻TH1之间。