[实用新型]一种薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201721302487.4 | 申请日: | 2017-10-10 |
公开(公告)号: | CN207265068U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 盐城普兰特新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0445 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司35218 | 代理人: | 何家富 |
地址: | 224000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 | ||
1.一种薄膜太阳能电池,其特征在于:包括衬底,以及沿远离衬底的方向依次设置在衬底上的阻挡层、背电极层、p型光吸收层、n型半导体层、硒化镉层、硫硒化锌层、具有高电阻率的氧化锌膜层和透明导电层。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述硒化镉层的厚度≤9nm,优选所述硒化镉层的厚度≤7nm,更优选所述硒化镉层的厚度≤5nm。
3.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述p型光吸收层为p型铜铟镓硒膜层、p型铜铟镓硒硫膜层、p型铜铟镓硫膜层、p型铜铟镓铝硒膜层、p型铜铟镓铝硒硫膜层、p型铜铟镓铝硫膜层、p型铜铟硒膜层、p型铜铟硒硫膜层、p型铜铟硫膜层或它们的任意组合。
4.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述背电极层为钼电极层、钛电极层、铬电极层、透明导电层或它们的任意组合。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述透明导电层为银基透明导电膜层、氧化铟掺杂锡膜层、氧化锌掺杂铝膜层、氧化锌掺杂镓膜层、氧化锌掺杂铟膜层、氧化锌掺杂硼膜层、氧化锡掺杂氟膜层、氧化锡掺碘膜层、氧化锡掺杂锑膜层和石墨烯层中的至少一种膜层组成;所述衬底为钠钙玻璃板、不锈钢薄板、聚酰亚胺板、铝薄板或钛薄板。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述具有高电阻率的氧化锌膜层为本征氧化锌膜层、具有电阻率为0.08Ω﹒cm至95Ω﹒cm的掺杂氧化锌膜层或它们的组合。
7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述阻挡层由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛、氧化钛、氮氧化钛、氮氧化锆、氧化锆、氮化锆、氮化铝、氧化铝、氧化硅铝、氮化硅铝、氮氧化硅铝、锌锡氧化物或它们的任意混合物组成;或所述阻挡层由硅、锆和钛中的至少一种元素与钼组成的至少两种元素的氧化物、氮化物或氮氧化物组成;当衬底为玻璃基板时,所述阻挡层为一含有Li、K中至少一种元素的碱过滤层,该碱过滤层包含Li、K中的至少一种元素和Si、Al、O三种元素。
8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述n型半导体层为n型铜铟镓硒膜层、n型铜铟镓硒硫膜层、n型铜铟镓铝硒膜层、n型铜铟铝硒膜层、n型铜铟铝硒硫膜层或n型铜铟镓铝硒硫膜层。
9.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述硒化镉层与硫硒化锌层之间设有一层硫化镉膜层、硫化铟膜层、硒化铟膜层或硫硒化铟膜层。
10.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于:所述透明导电层上设有一减反射膜层,所述减反射膜层由一层或多层组成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的