[实用新型]方硅芯锥孔加工工装

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种方硅芯锥孔加工工装，属于多晶硅生产技术领域。

背景技术

目前，目前国内生产多晶硅的工艺大部分都是常规三氯氢硅氢还原法，即改良西门子法，改良西门子法或其他类似方法生产大直径多晶硅的主要设备是多晶硅还原炉，多晶硅还原炉在细长的硅芯上通上电源，使硅芯加热发红，直至表面温度达到1100摄氏度，通入高纯的三氯氢硅和氢气，使其在高温下发生氢还原反应，使三氯氢硅中的硅分子堆积在硅芯上，使其的直径不断地增大，通常，硅芯的直径在7-10毫米，可以是圆形也可以是方型，或是其他形状，最终通过氢还原反应使直径不断地增大到120-200毫米，生产出高纯太阳能级6N或电子级11N的多晶硅器均无法适用于厂内方硅芯的测试。

目前硅芯的制备方法有二种，传统的方法是用CZ法（区熔提拉法），即把直径在20-50毫米的硅棒在充满惰性气体的真空炉膛内用高频感应加热，使其顶部局部熔化，从上部放入1根直径在5-10毫米的籽晶，然后慢慢向上提拉，使其成为直径在7-10毫米，长度在1900-3000毫米之间的细长硅芯，其缺点是提拉速度慢，一般为8-12毫米/分钟，拉制1根2米的硅芯需要4小时，生产效率低，电力消耗大，设备投资大。

另一种是用金刚石工具切割法，美国Diamond Wire Technology公司研制出采用金刚石线的数控多晶硅细长硅芯多线切割机床，用于硅芯的制备。通过利用电镀上金刚石微粒的细钢丝线在被加工工件上高速地往复运动或单向移动，将硅棒压在该机床用金刚石线交叉组成的方形线网上，从而将该硅棒切割成细长的硅芯。其优点十分明显，10-12小时可以切割出200根左右2米长的7X7或8X8毫米的方形硅芯，电力消耗小，加工效率高。

目前切割后的方硅芯在实际生产过程中，方硅芯与横梁硅芯通常采用钼丝捆绑定位来防止横梁硅芯滑落，这种方式不仅横梁硅芯容易发生位移抖动，而且钼丝也会对硅棒生产造成污染，另外在拆炉取棒时，还要从产品中分离出钼丝，提高了工作量和工作难度，降低了产品质量。

申请号为201520979648.8的实用新型专利公开了一种多晶硅方硅芯及其搭接结构，它在方硅芯本体顶端设置锥形凸台，在横梁硅芯上开设锥形通孔，方硅芯与横梁硅芯通过锥形凸台和锥形通孔进行配合连接，能够有效防止横梁硅芯发生位移抖动，降低了后续硅棒生产的工作量和工作难度，提高了最终产品质量，很好的解决了传统钼丝捆绑定位存在的问题。但是由于硅芯的材质较脆，因此在实际生产加工锥台和锥孔过程中，经常容易出现产品报废，生产效率也较为低下，加工质量也难以保证。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种方硅芯锥孔加工工装，其结构简单，设计合理，能够有效保证方硅芯锥孔加工的成功率和质量，同时也大大提高方硅芯锥孔加工的生产效率。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种方硅芯锥孔加工工装，它包括圆柱状的连接部，所述连接部后段设置有连接螺纹，所述连接部前端设置有限位圆台，所述限位圆台前端面上设置有锥台状的钻孔部，所述钻孔部前端面开设有中心孔，所述钻孔部外壁上开设有螺旋状的排屑槽，所述钻孔部的前端面和外壁面均为磨砂面。

所述限位圆台前后两侧设置有限位平面。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

本实用新型一种方硅芯锥孔加工工装，其结构简单，设计合理，能够有效保证方硅芯锥孔加工的成功率和质量，同时也大大提高方硅芯锥孔加工的生产效率。

附图说明

图1为本实用新型一种方硅芯锥孔加工工装的结构示意图。

图2为本实用新型一种方硅芯锥孔加工工装另一视角的结构示意图。

其中：

连接部1

限位圆台2

钻孔部3

排屑槽4

中心孔5

限位平面6

连接螺纹7。

具体实施方式

以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。

如图1、图2所示，本实施例中的一种方硅芯锥孔加工工装，它包括圆柱状的连接部1，所述连接部1后段设置有连接螺纹7，所述连接部1前端设置有限位圆台2，所述限位圆台2前端面上设置有锥台状的钻孔部3，所述钻孔部3前端面开设有中心孔5，所述钻孔部3外壁上开设有螺旋状的排屑槽4，所述钻孔部3的前端面和外壁面均为磨砂面；

所述限位圆台2前后两侧设置有限位平面6。

除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。