[实用新型]一种改善硅锭侧向长晶的护板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种改善硅锭侧向长晶的护板，属于多晶硅制备技术领域。

背景技术

目前，多晶硅锭的制备方法主要是利用市场主流的GT Solar提供的定向凝固系统进行制备，该方法通常包括加热、熔化、长晶、退火和冷却等步骤。但常规铸锭炉由于热场尺寸限制，仅可制备单锭尺寸在840*840mm左右的G5硅锭，越来越难以满足市场的需求，在这一背景下，部分铸锭和石墨器件制备厂商通过优化隔热罩结构等，创新性的开发出了单锭尺寸在1000*1000mm的G6硅锭，单锭投炉量由G5锭的500kg左右大幅提升到G6硅锭的800kg，不光产量大幅增加，同时单公斤电耗等显著降低，由常规的8.5度/kg降低到7度/kg，受到了硅片制造厂商的热捧，目前基于GT-480炉台改造G6炉台的厂商，领先的有国内的GCL、环太、天合等。

与此同时，基于市场对于硅片转换效率越来越高的要求，国内硅片制造厂的科技研发人员基于籽晶诱导生长、形成均匀细小晶粒来达到抑制位错增殖，提升了硅片光电转换效率原理，在硅片制造成本增加不大的基础上硅片光电转换效率得到了显著提升，由原先的17%左右大幅提升到了18%左右，大大促进了光伏行业平价发电目标实现的进程；但在此过程中，G6铸锭由于拐角加热器发热功率低，拐角区域局部存在过冷现象，导致晶体横向长晶速率大幅增加，晶体生长出现内斜现象，位错增殖明显，抑制了多晶硅锭效率的进一步提升。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提出一种抑制晶体生长出现内斜现象的改善硅锭侧向长晶的护板。

本实用新型为解决上述技术问题提出的技术方案是：一种改善硅锭侧向长晶的护板，包括长方形的基础护板和长方形的保温板，保温板设置在基础护板的一侧表面的两端，基础护板下端均匀间隔开设有溢流口，基础护板上还开设有排气孔，基础护板内部设置有护板隔热层；保温板内部均布设置有真空隔热块，真空隔热块包括玻璃层和玻璃层内部的真空层。

上述技术方案的改进是：基础护板的高度为600-610mm，长度为1080-1090mm，整体厚度为26-30mm。

上述技术方案的改进是：保温板的高度为300-400mm，宽度为200-300mm，厚度为10mm。

上述技术方案的改进是：真空隔热块的高度为30-40mm，宽度为20-30mm，厚度为5mm。

上述技术方案的改进是：保温板远离基础护板的一侧表面设置有耐腐蚀涂层。

本实用新型采用上述技术方案的有益效果是：

（1）本实用新型的改善硅锭侧向长晶的护板通过基础护板和保温板的双层隔热，有效降低了拐角散热过快的问题，抑制了拐角区域横向长晶的问题，减少了位错由于拐角斜向长晶所造成的增殖效应，提升了多晶铸锭的硅锭晶体质量；

（2）本实用新型的改善硅锭侧向长晶的保温板内部均布设置有真空隔热块，每个真空隔热块具有单独的真空层，当其中一块或几块真空隔热块损坏，其中的真空层实效时，对于整个保温板的保温效果影响不大，保证了保温板的工作稳定，延长了保温板的使用寿命；

（3）本实用新型的改善硅锭侧向长晶的保温板远离基础护板的一侧表面设置有耐腐蚀涂层，延长了保温板的使用寿命。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

图1是本实用新型实施例改善硅锭侧向长晶的护板的结构示意图；

图2是本实用新型实施例改善硅锭侧向长晶的护板的基础护板的层状结构示意图；

图3是本实用新型实施例改善硅锭侧向长晶的保温板的真空隔热块分布图；

图4是本实用新型实施例改善硅锭侧向长晶的保温板的层状结构示意图；

图5是本实用新型实施例改善硅锭侧向长晶的真空隔热块的结构示意图；

其中：1-基础护板，1.1-护板隔热层，2-保温板，2.1-耐腐蚀涂层，3-排气孔，4-溢流口，5-真空隔热块，5.1-玻璃层，5.2-真空层。

具体实施方式

实施例

本实施例的改善硅锭侧向长晶的护板，如图1-5所示，包括长方形的基础护板1和长方形的保温板2，保温板2设置在基础护板1的一侧表面的两端，基础护板1下端均匀间隔开设有溢流口4，基础护板1上还开设有排气孔3，基础护板1内部设置有护板隔热层1.1；保温板2内部均布设置有真空隔热块5，真空隔热块5包括玻璃层5.1和玻璃层5.1内部的真空层5.2。