[实用新型]MEMS器件

权利要求书

1.一种MEMS器件，其特征在于，包括：

半导体材料的主体；

所述主体中的腔室；

具有第一面和第二面的半导体材料的盖，所述盖的第一面耦接到所述主体并且覆盖所述腔室，所述盖包括由所述盖中的第一腔和所述第一面界定的第一隔膜，所述盖还包括在所述第二面和所述第一腔之间或在所述第一面和所述第一腔之间延伸的第一通道；以及

所述主体中的第一柱，所述第一柱位于所述腔室内部并且面对所述第一隔膜，所述第一柱和所述隔膜形成电容式压力传感器的第一电容器元件的极板。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一通道在所述第一面和所述第一腔之间延伸，所述MEMS器件还包括第二隔膜、第二腔、第二通道和第二柱，所述第二隔膜布置在所述第二腔和所述第二面之间，所述第二通道在所述第二面和所述第二腔之间延伸，所述第二柱位于所述腔室内部并且朝向所述第二隔膜延伸并且与所述第二隔膜一起形成第二电容器元件的极板。

3.根据权利要求2所述的MEMS器件，其特征在于，所述第一电容器元件是环境传感器电容器，并且所述第二电容器元件是参考电容器。

4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述主体包括位于所述腔室内部的惯性换能器。

5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述主体包括围绕所述腔室的壁，所述壁由所述半导体材料制成并且耦接到所述盖的所述第一面。

6.根据权利要求5所述的MEMS器件，其特征在于，还包括位于所述盖的所述第一面上的导电区域，所述导电区域电耦接到所述第一隔膜和所述壁。

7.根据权利要求6所述的MEMS器件，其特征在于，所述导电区域与所述第一隔膜直接接触并且通过金属接触区域与所述壁接触。

8.根据权利要求5所述的MEMS器件，其特征在于，还包括导电区域和在所述腔室内部延伸的半导体材料的第三柱，所述第三柱通过所述导电区域电耦接到所述第一隔膜。

9.根据权利要求8所述的MEMS器件，其特征在于，所述盖具有至少一个穿通沟槽，所述至少一个穿通沟槽围绕所述第一隔膜、所述第一腔和所述第一通道并将所述第一隔膜、所述第一腔和所述第一通道与所述盖的剩余部分电绝缘。

10.根据权利要求5所述的MEMS器件，其特征在于，所述主体包括基板和结构层，所述结构层形成所述壁和所述第一柱，所述基板支撑所述壁和所述第一柱，所述MEMS器件还包括电连接结构，所述电连接结构具有在所述基板和所述第一柱之间延伸的第一部分和在所述壁的外部延伸的第二部分。

11.根据权利要求10所述的MEMS器件，其特征在于，所述结构层包括在所述壁的外部并且从所述腔室向外的接触柱，所述接触柱与所述连接结构的所述第二部分电接触。

12.一种电子设备，其特征在于，包括：

ASIC；和

耦接到所述ASIC的MEMS器件，所述MEMS器件包括：

具有第一表面和第二表面的第一主体，所述第一主体包括半导体材料，所述第一主体包括腔室和在所述腔室中的第一柱；以及

具有第一表面和第二表面的第二主体，所述第二主体包括半导体材料，所述第二主体的所述第一表面耦接到所述第一主体的第一表面并且覆盖所述腔室，所述第二主体包括在所述第一表面处形成第一隔膜的第一腔，所述第二主体包括从所述第一腔延伸到所述第二主体的所述第一表面或所述第二表面的第一通道，所述第一隔膜面对所述第一柱并且与所述第一柱一起形成第一电容器的极板。