[实用新型]一种Si‑APD偏压电路

权利要求书

1.一种Si-APD偏压电路，其特征在于：包括由比较器A1和电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1组成的锯齿波发生电路，产生锯齿波输入至比较器A2的反向输入端，比较器A2的正向输入端电平VCTL确定矩形波的脉冲宽度，所述比较器A1的正向输入端分别连接电阻R1和电阻R3，比较器A1的负向输入端分别连接电容C1和比较器A2的负向输入端，比较器A1的输出端连接电阻R2，所述比较器A2的输出端连接开关管Q1，所述的开关管Q1上分别连接有电感L1和倍压整流电路，所述的倍压整流电路输出偏压VAPD。

2.根据权利要求1所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的锯齿波发生电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7，所述电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还连接有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端连接电阻R4，电阻R4的另一端连接电源VCC，所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4组成的二倍压整流电路。

3.根据权利要求2所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的电容C5一端与电源VCC和电感L1连接，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D1负极和二极管D2正极，电容C2的另一端同时连接二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D1正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D2负极和二极管D3正极，电容C4的另一端连接二极管D4负极。

4.根据权利要求1所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的锯齿波发生电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7，所述电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还连接有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端连接电阻R4，电阻R4的另一端连接电源VCC，所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C12、电容C13、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D9、二极管D10组成的三倍压整流电路。

5.根据权利要求4所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的电容C5一端与电源VCC和电感L1连接，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D1负极和二极管D2正极，电容C2的另一端同时连接电容C12、二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D1正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D2负极和二极管D3正极，电容C4的另一端同时连接电容C13、二极管D4负极和二极管D9正极，电容C12的另一端同时连接二极管D9负极和二极管D10正极，电容C13的另一端连接二极管D10负极。

6.根据权利要求1所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的锯齿波发生电路还包括电阻R5、电阻R6、电阻R7，所述的电感L1由变压器T构成，所述电阻R1、电阻R2的另一端分别连接电源VCC，电阻R3的另一端连接比较器A1的输出端，比较器A1的负向输入端和输出端还连接有电阻R6，比较器A1的正向输入端连接电阻R5，电阻R5和电容C1的另一端同时接地，比较器A2的正向输入端连接电阻R7，电阻R7的另一端接地，比较器A2的输出端连接电阻R4，电阻R4的另一端连接电源VCC，所述的倍压整流电路为电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4组成的二倍压整流电路。

7.根据权利要求6所述的一种Si-APD偏压电路，其特征在于，所述的变压器T输入侧分别连接电源VCC和开关管Q1，输出侧一端连接电容C5，一端接地，电容C5另一端同时连接电容C2、二极管D2负极和二极管D1正极，电容C2的另一端同时连接二极管D3负极和二极管D4正极，二极管D2正极连接电容C3，电容C3的另一端同时连接电容C4、二极管D1负极和二极管D3正极，电容C4的另一端连接二极管D4负极。