[实用新型]晶圆级芯片封装结构有效
| 申请号： | 201721320009.6 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN207250484U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠;吴政达 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/98;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 封装 结构 | ||
1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构包括：
半导体芯片；
重新布线层，位于所述半导体芯片的正面，且与所述半导体芯片电连接；
焊料凸块，位于所述重新布线层远离所述半导体芯片的表面，且与所述重新布线层电连接；
粘片膜，位于所述半导体芯片的背面；
保护材料层，塑封于所述半导体芯片、所述重新布线层、所述焊料凸块及所述粘片膜的外围，所述保护材料层的上表面不高于所述焊料凸块的上表面，且所述保护材料层的下表面与所述粘片膜的下表面相平齐。
2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：
介质层，位于所述半导体芯片的正面；
金属线层，位于所述介质层内及所述介质层表面，且与半导体芯片及所述焊料凸块电连接，所述金属线层作为所述重新布线层的金属连线层。
3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述重新布线层包括：
第一介质层，位于所述半导体芯片的正面；
至少一层金属线层，位于所述第一介质层内，且与所述半导体芯片电连接；
第二介质层，覆盖于所述第一介质层及所述金属线层的上表面；
凸块下金属层，位于所述第二介质层内及所述第二介质层表面，且与所述金属线层及所述焊料凸块电连接；其中，
所述第一介质层与所述第二介质层共同构成所述重新布线层的介质层，所述金属线层与所述凸块下金属层共同构成所述重新布线层的金属连线层。
4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述保护材料层为高分子防水材料层。
5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述保护材料层为环氧树脂层。
6.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述粘片膜为DAF膜或BSL 膜。
7.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述焊料凸块包括：
金属柱，位于所述重新布线层远离所述半导体芯片的表面，且与所述重新布线层电连接；
焊球，位于所述金属柱的远离所述半导体芯片的表面。
8.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述焊料凸块为焊球。
9.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构内所述半导体芯片的数量为一个。
10.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构内所述半导体芯片的数量为至少两个，相邻所述半导体芯片之间具有间距。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体（江阴）有限公司，未经中芯长电半导体（江阴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721320009.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
