[实用新型]晶圆级芯片封装结构有效
| 申请号： | 201721321262.3 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN207250487U | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠;吴政达 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/98 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆级 芯片 封装 结构 | ||
1.一种晶圆级芯片封装结构，其特征在于，所述晶圆级芯片封装结构包括：
半导体芯片；
重新布线层，包括低k介质层、位于所述低k介质层内及所述低k介质层上表面的金属连接层；所述低k介质层位于所述半导体芯片的正面，且所述金属连接层与所述半导体芯片电连接；
焊料凸块，位于所述重新布线层的上表面，且与所述金属连接层电连接；
保护层，位于所述半导体芯片及所述重新布线层的外围，且将所述半导体芯片的侧面及所述低k介质层的侧面塑封。
2.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：
第一低k介质层，位于所述半导体芯片的正面；
至少一层金属线层，位于所述第一低k介质层内，且与所述半导体芯片电连接；
第二低k介质层，覆盖于所述第一低k介质层及所述金属线层的上表面；
凸块下金属层，位于所述第二低k介质层内及所述第二低k介质层表面，且所述凸块下金属层的下表面与所述金属线层的上表面电连接；其中
所述第一低k介质层及所述第二低k介质层共同构成所述低k介质层，所述金属线层及所述凸块下金属层共同构成所述金属连接层。
3.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述金属连接层包括一层金属线层，且所述金属线层位于所述低k介质层内，与所述半导体芯片及所述焊料凸块电连接。
4.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述保护层为高分子防水材料层。
5.根据权利要求4所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述保护层的材料为环氧树脂层。
6.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述保护层的上表面不低于所述低k介质层的上表面，且所述保护层的下表面与所述半导体芯片的下表面相平齐。
7.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述晶圆级芯片封装结构包括一个所述半导体芯片。
8.根据权利要求1所述的晶圆级芯片封装结构，其特征在于：所述晶圆级芯片封装结构包括至少两个所述半导体芯片。
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