[实用新型]一种色域广演色性高的发光二极管有效

专利信息
申请号: 201721326334.3 申请日: 2017-10-16
公开(公告)号: CN207458997U 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 李俊 申请(专利权)人: 深圳市康博汇科技有限公司
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/60;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/62;H01L25/075
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 半导体晶片 装置本体 演色性 色域 发光二极管 上表面 金属反射层 负极 焊接固定 荧光体层 反光板 下底面 环氧树脂 正极 本实用新型 上表面中心 有机发光层 二极管 顶端安装 两端焊接 位置处 基板 填充
【权利要求书】:

1.一种色域广演色性高的发光二极管,包括装置本体(1)和半导体晶片(11),其特征在于:所述装置本体(1)内部空间填充有环氧树脂(2),所述装置本体(1)内部一侧安装有负极(4),所述装置本体(1)内部另一侧安装有正极(5),所述负极(4)上顶端安装有端子反光板(9),所述端子反光板(9)上表面安装有荧光体层(10),所述荧光体层(10)上表面焊接固定有半导体晶片(11),所述半导体晶片(11)内部上表面一侧边缘位置处安装有红色LED芯片(20),所述红色LED芯片(20)右侧安装有绿色LED芯片(21),所述半导体晶片(11)内部上表面另一侧边缘位置处安装有黄色LED芯片(22),所述黄色LED芯片(22)左侧位置安装有蓝色LED芯片(23),所述半导体晶片(11)内部上表面中心位置处安装有P成长层(17),所述P成长层(17)正下方安装有N成长层(18),所述N成长层(18)下底面焊接固定有基板(19),所述半导体晶片(11)内部下底面两端焊接固定有金属反射层(15),所述金属反射层(15)上表面安装有有机发光层(16)。

2.根据权利要求1所述的一种色域广演色性高的发光二极管,其特征在于:所述装置本体(1)下底面焊接固定有绝缘层(3),所述绝缘层(3)上表面中心位置处焊接固定有散热片(7),所述散热片(7)外表面与装置本体(1)内壁焊接固定。

3.根据权利要求2所述的一种色域广演色性高的发光二极管,其特征在于:所述散热片(7)套接于负极(4)与正极(5)外表面,所述负极(4)上顶端外表面焊接固定有银胶(8)。

4.根据权利要求1所述的一种色域广演色性高的发光二极管,其特征在于:所述正极(5)上端外表面安装有金线(12),所述金线(12)另一顶端与负极(4)相连。

5.根据权利要求1所述的一种色域广演色性高的发光二极管,其特征在于:所述半导体晶片(11)上表面中心位置处安装有P电极(13)。

6.根据权利要求1所述的一种色域广演色性高的发光二极管,其特征在于:所述半导体晶片(11)下表面安装有N电极(14)。

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