[实用新型]存储器及半导体器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及其形成方法以及一种半导体器件。

背景技术

存储器通常包括存储电容器以及连接到所述存储元件的存储晶体管，所述存储电容器用来存储代表存储信息的电荷。所述存储晶体管中形成有源区、漏区和栅极，所述栅极用于控制所述源区和漏区之间的电流流动，并连接至字线导体，所述源区用于构成位线接触区，以同通过位线接触连接至一位线导体，所述漏区用于构成节点接触区，以通过一节点接触连接至存储电容器。

目前，在形成节点接触时，一般是利用光刻工艺直接定义出节点接触的形成区域，即，利用光刻工艺直接界定出所形成的节点接触的尺寸和位置。然而，在利用上述方法形成节点接触时，由于光刻工艺的对准精度的限制，从而不可避免的会产生位置偏移的问题，使所定义出的节点接触的形成区域的位置产生偏差，这将进一步导致后续所形成的节点接触与节点接触区之间无法充分接触而产生较大的接触电阻的问题。尤其是，随着器件尺寸的不断缩减，以及光刻工艺窗口的限制，使节点接触与节点接触区之间无法充分接触的问题将越发严重。

此外，在制备出所述节点接触之后，还需要对应节点接触的排布方式，形成一存储电容器在所述节点接触上。即，电容器的排布方式与节点接触的排布方式相对应，例如，当多个节点接触在其与电容器的连接面上以规则的方形阵列排布，则后续所形成的电容器也相应的呈规则的方形阵列排布。然而，随着半导体器件尺寸的不断缩减，规则的方形阵列的排布方式已无法达到足够的电容器的排布密集度，从而不利于存储器尺寸的缩减，并且由于电容器尺寸的缩减，也相应的会对电容器的电容造成影响。因此，如何提高电容器排布的密集程度，以及增加电容器的电容尤为重要。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种存储器，以利于提高电容器的排布密集程度。

基于此，本实用新型提供一种存储器，包括：

一衬底，在所述衬底中形成有多个有源区，所述有源区中形成有一位线接触区和多个节点接触区，多个所述节点接触区分布在所述位线接触区的两侧；

多条字线导体，形成在所述衬底中并沿着第一方向延伸；

多条第一隔离线，形成在所述衬底上并对准地覆盖所述字线导体，用于构成一第一隔离屏障，且所述第一隔离屏障的表面高于所述衬底的表面；

多条位线导体，形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸，所述位线导体与相应的有源区相交，以使相应的所述有源区中的所述位线接触区连接至所述位线导体上；

多条第二隔离线，形成在所述衬底上并对准地覆盖所述位线导体，所述位线导体和所述第二隔离线共同用于构成一第二隔离屏障，所述第一隔离屏障和所述第二隔离屏障在所述衬底的表面上相交以共同界定出多个节点接触窗，每一所述节点接触区对应一个所述节点接触窗，并且利用所述第二隔离线的厚度值使所述第二隔离屏障的顶表面高于所述第一隔离屏障的顶表面；

多个节点接触，填充在所述节点接触窗中，并利用所述第一隔离屏障相对于所述第二隔离屏障较低的顶表面高度差，使所述节点接触延伸覆盖至所述第一隔离屏障的上方。

可选的，所述存储器还包括一位线接触，形成在所述衬底上的所述位线接触区上，所述位线接触区通过所述位线接触连接至所述位线导体。

可选的，所述第二隔离屏障在所述衬底上的投影完全覆盖所述位线接触区和所述位线接触，并且在所述第一方向上，所述位线接触区和所述位线接触的最大宽度尺寸均小于所述第二隔离屏障的最大宽度尺寸。

可选的，所述存储器还包括一支撑隔离层，形成在所述衬底上且位于所述位线接触的外围；所述第二隔离屏障包括靠近所述位线接触的底部隔离部和远离所述位线接触的顶部隔离部，并且所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸大于所述位线接触和所述位线接触区的最大宽度尺寸；

在所述第一方向上，当所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的宽度尺寸小于所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸时，所述支撑隔离层对齐设置在所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的下方，并从对应所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的位置延伸至所述衬底的表面上；

在所述第一方向上，当所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的宽度尺寸等于所述第二隔离屏障的所述顶部隔离部的宽度尺寸时，所述支撑隔离层对齐设置在所述第二隔离屏障的所述底部隔离部的下方。

可选的，所述存储器还包括一间隔绝缘层，覆盖所述位线导体的侧壁，且所述间隔绝缘层、所述位线导体和所述第二隔离线共同构成所述第二隔离屏障。