[实用新型]OLED器件及显示装置有效
| 申请号： | 201721332197.4 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN207441752U | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 焦志强 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载流子 第一材料 第二材料层 载流子迁移 发光材料 发光单元 显示装置 发光层 功能层 缓冲层 阴极 阳极 混合层 | ||
1.一种OLED器件，其特征在于，包括位于阳极与阴极之间的发光单元，所述发光单元包括：
用于第一载流子迁移的第一载流子功能层，包括第一材料层；
用于第二载流子迁移的第二载流子功能层，包括第二材料层，第二载流子与第一载流子的极性不同；
位于所述第一材料层与所述第二材料层之间的发光层，包括发光材料；和
位于所述发光层与所述第一材料层之间的第一缓冲层，所述第一缓冲层是包括所述发光材料和第一材料的混合层。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第一缓冲层是多层结构，沿从所述发光层到所述第一材料层的方向所述多层结构中所述发光材料的组分逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，
所述第一缓冲层的厚度为1nm，和/或
在所述第一缓冲层中所述发光材料的质量百分比为10％。
4.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述发光单元还包括：
位于所述发光层与所述第二材料层之间的第二缓冲层，所述第二缓冲层是包括所述发光材料和第二材料的混合层。
5.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述第二缓冲层是多层结构，沿从所述发光层到所述第二材料层的方向所述多层结构中所述发光材料的组分逐渐减小。
6.根据权利要求4所述的OLED器件，其特征在于，
所述第二缓冲层的厚度为1nm，和/或
在所述第二缓冲层中所述发光材料的质量百分比为10％。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的OLED器件，其特征在于，
所述第一材料包括注入第一载流子的第一注入材料、传输第一载流子的第一传输材料、或阻挡第二载流子的第一阻挡材料；
所述第二材料包括注入第二载流子的第二注入材料、传输第二载流子的第二传输材料、或阻挡第一载流子的第二阻挡材料。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的OLED器件，其特征在于，所述第一载流子是电子而第二载流子是空穴，或者所述第一载流子是空穴而第二载流子是电子。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的OLED器件，其特征在于，
所述第一载流子功能层包括第一载流子注入层、第一载流子传输层和第二载流子阻挡层；
所述第二载流子功能层包括第二载流子注入层、第二载流子传输层和第一载流子阻挡层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的OLED器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
