[实用新型]用于电池片甩干时的臭氧氧化装置有效
申请号: | 201721344098.8 | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN207265069U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 赵卫东;赵枫;赵雅;郭盼盼;杨冬琴;李永仓 | 申请(专利权)人: | 江苏东鋆光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人: | 赵海波 |
地址: | 214421 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电池 片甩干时 臭氧 氧化 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种新型的臭氧氧化工艺方式,在甩干机中通入臭氧,在甩干后利用臭氧氧化作用,在硅表面形成氧化层,起到抗PID作用,属于太阳能光伏技术领域。
背景技术
随着化石类一次能源的不断枯竭,以及化石类能源的使用所带来的环境、生态、气候变化等一系列问题,低碳清洁的绿色能源已经成为发展大势,光伏行业面临良好的发展机遇,光伏市场不断扩大。市场增长的同时,吸引越来越多的资本进入,使得产品竞争变的更加激烈,因此组件端对电池片转换效率与质量的要求也在不断提高,新技术的研发应用成为电池片企业的迫切需求。
PID是英文potential Induced Degradation的缩写,指的是组件电势诱导衰减。主要原因是组件在户外多组串联获得高电压,长期在高电压作用下使得玻璃,封装材料之间存在漏电流,大量电荷聚集在电池片表面,使电池表面的钝化效果恶化,导致FF、Jsc、Voc降低,功率衰减。这种情况会造成组件最大功率减小,直接影响组件的发电效率,减低发电量,造成经济损失。
确保电池片具有抗PID效果,是目前检验电池片产品质量的重要指标,当前主要通过在镀Si3N4膜之前先在硅表面生长一层薄氧化层来实现抗PID效果。臭氧氧化工艺是目前应用最为广泛的工艺方式,如何在现有设备基础上引入臭氧氧化工艺,是电池片生产厂家必做的工艺改进。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术的弱点和隐患,提供一种用于电池片甩干时的臭氧氧化装置,实现臭氧氧化工艺,使得生产电池片具有良好的抗PID效果。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为:一种用于电池片甩干时的臭氧氧化装置,它包括臭氧发生器、空气压缩机和制氮机,在现有的电池片甩干机上开设有臭氧进气口、压缩空气进气口、氮气进气口、排气口和排水口,所述臭氧发生器的出气口与甩干机上的臭氧进气口相连,所述空气压缩机的出气口与甩干机上的压缩空气进气口相连,所述制氮机的出气口与氮气进气口相连。
与现有技术相比,本实用新型的特点在于:
本实用新型在现有的甩干机内通入臭氧使得硅表面氧化形成氧化硅薄膜,达到有效的抗PID效果,不仅实现了产品质量的提升,同时有效的利用了产线设备,实现设备工艺的技术升级,相比较离线式设备的应用,减少了工序作业过程,降低成本。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
其中:
臭氧发生器1、空气压缩机2、制氮机3、甩干机4、排气口4.1、排水口4.2。
具体实施方式
以下结合实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1所示,本实用新型涉及一种用于电池片甩干时的臭氧氧化装置,包括臭氧发生器1、空气压缩机2和制氮机3,在现有的电池片甩干机4上开设有臭氧进气口、压缩空气进气口、氮气进气口、排气口4.1和排水口4.2,所述臭氧发生器1的出气口与甩干机4上的臭氧进气口相连,所述空气压缩机2的出气口与甩干机4上的压缩空气进气口相连,所述制氮机3的出气口与氮气进气口相连,利用臭氧发生器产生一定浓度的臭氧,在甩干机完成固定甩干作业后,将臭氧通入到甩干机密闭腔体内对硅片进行氧化。
所述的臭氧在通入腔体内过程中可以通过甩干机内部原加热部件加热,可提高氧化速率,缩短工艺时间;同时,甩干机密闭腔体可以确保通入的臭氧更加有效的利用,在硅片表面氧化生长出均匀的氧化硅薄层形成氧化硅薄膜。氧化工艺结束后可使用空气泵通过排气口将废气排除。
具体工艺过程如下:
放片——通氮气甩干——通臭氧氧化——抽尾气、充氮——取片。
甩干机经过改造后,在较小并且密封性良好的腔体内通入臭氧,可以使臭氧得到有效地利用,同时通入气体经过甩干机加温,进一步促进氧化层的形成,提高氧化层厚度,确保抗PID效果。
除上述实施例外,本实用新型还包括有其他实施方式,凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案,均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的