[实用新型]一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片

权利要求书

1.一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，包括TMR磁电阻桥，聚磁层、ASIC芯片、引线框架、键合引线及封装体；其特征在于，

所述TMR磁电阻桥由至少一个磁电阻桥臂构成，每个所述磁电阻桥臂由一个磁电阻结构成或者由多个磁电阻结串联构成；所述磁电阻结包括底部电极层、种子层、钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层、偏置层、保护层及顶部电极层；

所述聚磁层，用于使所述TMR磁电阻的灵敏方向垂直于所述TMR和ASIC全集成电流传感器芯片的表面；

所述ASIC芯片与所述TMR磁电阻桥位于所述封装体内部。

2.根据权利要求1所述的一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，其特征在于，所述聚磁层所用的材料相对磁导率高于3000。

3.根据权利要求1所述的一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，其特征在于，所述聚磁层位于所述TMR磁电阻上方或者下方。

4.据权利要求1所述的一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，其特征在于，所述ASIC芯片具有电源转换电路、反馈电流控制模块、电压输出模块及自校准模块，所述自校准模块为一次性校准模块。

5.根据权利要求4所述的一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，其特征在于，所述电源转换电路，用于自动识别供电电压，并且为所述ASIC芯片内的其他模块提供统一的供电电压。

6.根据权利要求4所述的一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，其特征在于，所述反馈电流控制模块的输出电流正比于所述TMR磁电阻桥的输出电压。

7.根据权利要求4所述的一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，其特征在于，所述电压输出模块，用于放大电压信号。

8.根据权利要求4所述的一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，其特征在于，所述自校准模块的输入信号为方波信号。

9.根据权利要求1所述的一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，其特征在于，自动校准完毕后，所述的TMR和ASIC全集成电流传感器芯片输出电压为电源电压的一半。

10.根据权利要求1所述的一种TMR和ASIC全集成电流传感器芯片，其特征在于，所述TMR磁电阻桥和ASIC芯片通过所述键合引线电连接到所述引线框架上。