[实用新型]一种用于强流氘‑氚中子发生器的大靶片双裂变电离室

说明书

技术领域

本实用新型属于中子应用技术领域，涉及一种用于强流氘-氚中子发生器的大靶片双裂变电离室。

背景技术

强流氘-氚聚变反应中子发生器是重要的单能加速器中子源，可以提供高通量的14MeV单能中子，广泛应用于核数据测量、核能基础研究、国防基础研究及核技术应用等领域。国内外的科研机构都在研发高产额的强流D-T/D-D中子发生器，目前美国和俄罗斯研发的中子发生器D-T中子产额均达到了10¹³n/s水平，国内最高为兰州大学的3.3×10¹²n/s，多家科研院所也在开展相关研制工作。

测量高通量强流氘-氚(D-T)中子发生器中子产额的方法主要有伴随α粒子法，反冲质子法和裂变电离室法。对于高达10¹³n/s的中子产额一般都需要旋转大靶，伴随α粒子法由于需要固定通道将不能使用；国际上普遍采用的反冲质子望远镜由于对γ敏感，需要较庞大的屏蔽和真空系统同时需采用符合测量方法，成本高效率低；U裂变电离室测量装置简单，精度较高，并且对γ射线不灵敏，使用较为广泛。但是国内现有技术都是针对10¹²n/s及以下中子产额所开发的小型单²³⁸U气体裂变室，不能直接用于10¹³n/s以上强流氘-氚(D-T)中子发生器的中子产额测量。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种用于强流氘-氚中子发生器的大靶片双裂变电离室，解决了目前国内的裂变电离室不能直接用于10¹³n/s以上强流氘-氚(D-T)中子发生器的中子产额测量的问题。

本实用新型所采用的技术方案是包括圆柱状壳体，圆柱状外壳上设有进气口和出气口，圆柱状壳体内部设有绝缘柱，绝缘柱上安装有三个收集极，每两个收集极之间安装有一片²³⁸U靶片，圆柱状壳体底部设有信号出口，连接收集极的高压引线穿过信号出口。

进一步，圆柱状壳体采用无氧铜制作。

本实用新型的有益效果是可用于10¹³n/s以上强流氘-氚(D-T)中子发生器的中子产额测量的流气式双²³⁸U裂变电离室。

附图说明

图1是裂变电离室外部结构示意图；

图2是裂变电离室内部结构示意图。

图中，1.圆柱状壳体，2.进气口，3.出气口，4.绝缘柱，5.收集极，6.²³⁸U靶片，7.信号出口。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本实用新型进行详细说明。

本实用新型如图1和2所示包括圆柱状壳体1，圆柱状壳体1采用无氧铜制作，圆柱状外壳1上设有进气口2和出气口3，用于工作气体进出，圆柱状壳体1内部设有绝缘柱4，绝缘柱4上安装有三个收集极5，每两个收集极5之间安装有一片²³⁸U靶片6，用于与中子场中的快中子反应，使工作气体电离，并在电离过程中形成的脉冲信号，通过收集极5收集脉冲信号，圆柱状壳体1底部设有信号出口7，连接收集极5的高压引线穿过信号出口7。通过高压引线将信号传给外部的脉冲输出记录谱仪进行高通量的中子测量。

以上所述仅是对本实用新型的较佳实施方式而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改，等同变化与修饰，均属于本实用新型技术方案的范围内。