[实用新型]太阳能刻蚀机台改造结构有效
申请号: | 201721347852.3 | 申请日: | 2017-10-18 |
公开(公告)号: | CN207731940U | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 徐建;俞超;李慧;吴俊清;樊华;张子森 | 申请(专利权)人: | 东方环晟光伏(江苏)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/306 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 刘畅;徐冬涛 |
地址: | 214203 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻蚀机台 履带 摄像头 机械手 硅片 本实用新型 下料处 暂存盒 太阳能 抓取 单片机连接 摄像头检测 叠片 返工 料盒 改造 检测 员工 | ||
本实用新型公开了一种太阳能刻蚀机台改造结构,它包括刻蚀机台,刻蚀机台尾部连接下料处履带,下料处履带旁设置有料盒和机械手,其特征在于在下料处履带旁还设置有异常片暂存盒,在下料处履带正上方设有摄像头,摄像头通过单片机连接机械手。本实用新型增加摄像头来检测硅片的长度,当硅片发生叠片时长度增长,摄像头检测出异常后,机械手在叠片产生后的硅片不进行抓取,会让其流到异常片暂存盒,让操作员工进行返工处理,降低了不良片的产生。
技术领域
本实用新型涉及太阳能刻蚀技术领域,具体是一种太阳能刻蚀机台改造结构。
背景技术
目前刻蚀的制造工序流程:硝酸/氢氟酸混酸去除边缘PN结→水洗→碱洗去除酸液→水洗→氢氟酸去除磷硅玻璃→水洗→烘干。然而在生产过程中,由于刻蚀机台长时间运行,滚轮磨损等因素造成滚轮松动,硅片经过时容易出现滚轮未能压好硅片,导致硅片前行困难,导致叠片,叠片中的药液难以清洗及烘干,经过槽体其它滚轮时,药液污染滚轮导致大量硅片粘上,需要大量的硅片才能带走脏污,导致成品电池片EL下出现滚轮印及其它脏污问题,给公司带来极大的损失。
实用新型内容
本实用新型针对背景技术中存在的问题,提出了一种降低了不良片的产生的改造结构。
一种太阳能刻蚀机台改造结构,它包括刻蚀机台,刻蚀机台尾部连接下料处履带,下料处履带旁设置有料盒和机械手,下料处履带旁还设置有异常片暂存盒,在下料处履带正上方设有摄像头,摄像头通过单片机连接机械手,机械手作用于下料处履带,用于分拣硅片至料盒或异常片暂存盒。
所述异常片暂存盒设置于下料处履带的末端。
所述异常片暂存盒低于下料处履带2cm。
所述摄像头高于下料处履带80cm。
本实用新型的有益效果
本实用新型增加摄像头来检测硅片的长度,当硅片发生叠片时长度增长,摄像头检测出异常后,机械手在叠片产生后的硅片不进行抓取,会让其流到异常片暂存盒,让操作员工进行返工处理,降低了不良片的产生。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步说明,但本实用新型的保护范围不限于此:
实施例:一种太阳能刻蚀机台改造结构,它包括刻蚀机台1,刻蚀机台1尾部连接下料处履带2,下料处履带2旁设置有料盒3和机械手7,在下料处履带2旁还设置有异常片暂存盒4,在下料处履带2正上方设有摄像头5,摄像头5通过单片机6连接机械手7。
机械手7作用于下料处履带2,用于分拣硅片至料盒3或异常片暂存盒4,具体的:正常情况下,完成刻蚀的硅片在下料处履带2上就会被下料的机械手7抓取进入料盒3;本实施例增加摄像头5后,摄像头5检测出叠片长度远超出硅片长度后,机械手7就不会抓取该硅片,该硅片经过下料处履带2后流至异常片暂存盒4;更进一步的,单片机6还可以设定为:当摄像头5检测出叠片长度远超出硅片长度后,在规定时间内机械手7均不会抓去硅片,这是为了避免后续硅片存在脏污的不良问题。
本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过电路设定来指令相关的硬件来完成的,该电路设定可以通过单片机或其他类似功能的集成芯片完成,为现有技术。本实用新型的核心实用新型点在于系统的整体结构布局,局部控制方法可通过现有技术编程完成;局部的模块连接可通过现有技术实现。
优选的实施例中,所述异常片暂存盒4设置于下料处履带2的末端。
优选的实施例中,所述异常片暂存盒4低于下料处履带2距离为2cm。
优选的实施例中,所述摄像头5高于下料处履带2距离为80cm。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神做举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的