[实用新型]一种肖特基二极管有效
| 申请号： | 201721349049.3 | 申请日： | 2017-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN207338389U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 龙立 | 申请（专利权）人： | 广东瑞森半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
1.一种肖特基二极管，其特征在于：包括衬底、间隔溅射于衬底顶部的导通金属层；所述导通金属层之间设有缓冲层；缓冲层的上端及导通金属层上端外延有GaN层；GaN层的上端连接有肖特基金属层；衬底下端连接有电极金属层。
2.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于：所述衬底为Al
3.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于：所述GaN层包括高掺杂GaN层、低掺杂GaN层，所述低掺杂GaN层位于高掺杂GaN层的上方。
4.根据权利要求3所述的一种肖特基二极管，其特征在于：所述高掺杂GaN层的掺杂浓度为1×10
5.根据权利要求4所述的一种肖特基二极管，其特征在于：所述高掺杂GaN的掺杂浓度为5×10
6.根据权利要求3所述的一种肖特基二极管，其特征在于：所述低掺杂GaN层的掺杂浓度为1.5×10
7.根据权利要求6所述的一种肖特基二极管，其特征在于：所述低掺杂GaN的掺杂浓度为5×10
8.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于：所述导通金属层为Au或Ti,其厚度为0.5-1um。
9.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于：所述缓冲层为SiN、AlN或GaN的一种，其厚度与导通金属层相同。
10.根据权利要求1所述的一种肖特基二极管，其特征在于：所述肖特基金属层为Pt、Ti或Ni层的一种。
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