[实用新型]一种加热罩及温控系统有效
申请号: | 201721353495.1 | 申请日: | 2017-10-19 |
公开(公告)号: | CN207586768U | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 吴亮亮;钟国舜;高达;王丛;王经纬;刘铭;周立庆 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | G05D23/22 | 分类号: | G05D23/22 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 田卫平 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蒸气输运 加热罩 温度检测部 导热层 加热部 隔热层 本实用新型 恒温控制 温控系统 保温层 温度控制技术 温度控制器 一体化设计 实时采集 外接电源 温度采集 温度信号 叠合 外壁 加热 通电 反馈 | ||
本实用新型公开了一种加热罩及温控系统,涉及温度控制技术领域。该加热罩,包括:加热罩本体、加热部、以及一个或多个温度检测部;加热罩本体为一体化设计,包括:导热层、保温层和隔热层,导热层、保温层及隔热层由内到外依次紧密叠合;加热部和温度检测部设置在导热层和/或隔热层。导热层用于与蒸气输运管道的外壁紧密接触,当加热部与外接电源通电时,加热部对蒸气输运管道进行加热,并由温度检测部进行温度采集,以使温度控制器根据温度检测部反馈的温度信号对蒸气输运管道进行恒温控制。本实用新型不仅可以实时采集蒸气输运管道所处的环境温度,还可对蒸气输运管道所处的环境温度进行恒温控制。
技术领域
本实用新型涉及温度控制技术领域,尤其涉及一种加热罩及温控系统。
背景技术
红外探测成像技术具有探测距离远、抗干扰性能强以及工作时间不受限制等优点,已经被广泛应用于民用和科学领域。碲镉汞红外焦平面探测器是一种非常重要的红外探测器,自1959年人工合成的碲镉汞材料问世以来,尤其是从20世纪70年代开始,借助于晶体制备技术,特别是液相外延以及分子束外延技术等外延技术的快速发展,碲镉汞材料及器件的研究工作取得了巨大进展。
外延生长碲镉汞的分子束外延设备必须配置“汞泄流源(简称汞源)”。分子束外延碲镉汞工艺中生长窗口(衬底温度及汞束流/碲束流比例范围)很窄,所以必须保证生长过程中汞束流的稳定。现有的汞源结构主要分成三部分:汞箱(Tank)、输运管道、注入口(Injector)。汞箱用于存储汞,使用过程中汞箱的温度大约为180~190℃;输运管道用于连接汞箱和注入口,使用过程中输运管道的温度大约为200℃;注入口安装于分子束外延腔室内部,用于汞束流的均匀化,使用过程中注入口的温度大约为250℃。使用过程中从汞箱到注入口,温度逐渐升高,防止整个管路存在大的温度波动,使得汞束流波动偏离生长窗口,导致分子束外延碲镉汞材料缺陷大幅增大甚至生长失败。
现有汞蒸气输运管道分成波纹管(连接汞箱)、全金属角阀(连接波纹管与法兰口)以及法兰口(连接注入口)三个部分,现有分离式加热罩分别用三个加热罩进行加热。现有分离式加热罩存在如下问题:无法实现恒温控制,只能通过外置热偶插入加热罩内部测温,在根据目标温度调整加热罩内部加热丝的加热功率;加热罩之间存在空隙,空隙处存在温度梯度,存在低温区域(低于190℃),使得汞蒸气存在液化的可能,将使得汞束流瞬间过大,导致分子束外延碲镉汞材料缺陷大幅增大甚至生长失败;拆装三个加热罩不便捷。
实用新型内容
本实用新型提供一种加热罩及温控系统,用以解决现有技术中分离式加热罩对蒸气输运管道进行加热时存在温度差的问题。
第一方面,为了实现上述目的,本实用新型提供一种加热罩,包括:加热罩本体、加热部、以及一个或多个温度检测部;
所述加热罩本体为一体化设计,包括:导热层、保温层和隔热层,所述导热层、保温层及隔热层由内到外依次紧密叠合;
所述加热部和所述温度检测部设置在所述导热层和/或所述隔热层。
进一步地,所述加热罩本体上设有适于可将所述加热罩装配到被加热物体上的开口;
所述加热罩还包括:第一连接件和设置在所述隔热层外表面靠近所述开口两侧的第二连接件,所述第一连接件用于与所述第二连接件配合,以使在所述加热罩本体装配到被加热物体上时将所述开口闭合。
进一步地,所述第一连接件为玻璃纤维纯材质的连接线。
进一步地,所述开口设置在所述加热罩的同一侧。
进一步地,所述加热部包括均匀分布在所述导热层和/或所述隔热层的加热丝。
进一步地,所述加热丝外壁设置有绝缘电阻。
进一步地,所述加热部通过耐高温导线连接外接电源。
进一步地,所述耐高温导线为聚酰亚胺高温导线。
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