[实用新型]一种用于限流的九芯片整流器

说明书

本实用新型涉及整流器的技术领域，特别地涉及一种用于限流的九芯片整流器。将三块陶瓷基板安装在底座上，分别在每块陶瓷基板上焊接第一半导体电极和第二可控硅电极，在第一半导体电极的第一焊接部上焊接第一半导体芯片，第二可控硅电极的第五焊接部焊接于第一半导体芯片的上表面，第二可控硅的第四焊接部上焊接有第二半导体芯片和可控硅芯片，第二半导体芯片上表面焊接有第二半导体电极，可控硅芯片上表面焊接有第一可控硅电极，第一固定部、第二固定部、第三固定部和第四固定部穿过壳体上的空心槽并折弯，解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题。

技术领域

本实用新型涉及整流器的技术领域，特别地涉及一种用于限流的九芯片整流器。

背景技术

三相整流模块，是将数个整流管封装在同一个壳体内，构成一个完整的整流电路。随着电力半导体模块的工艺制造技术、设计能力、测试水平以及生产经验的不断完善，目前三相整流模块已经普遍适用于变频器、高频逆变焊机、大功率开关电源、不停电电源、高频感应加热电源、工业电磁炉以及电动车增程器等行业。但是大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：为了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，本实用新型提供了一种用于限流的九芯片整流器，将三块陶瓷基板安装在底座上，分别在每块陶瓷基板上焊接第一半导体电极和第二可控硅电极，在第一半导体电极的第一焊接部上焊接第一半导体芯片，第二可控硅电极的第五焊接部焊接于第一半导体芯片的上表面，第二可控硅的第四焊接部上焊接有第二半导体芯片和可控硅芯片，第二半导体芯片上表面焊接有第二半导体电极，可控硅芯片上表面焊接有第一可控硅电极，第一固定部、第二固定部、第三固定部和第四固定部穿过壳体上的空心槽并折弯，解决了大功率整流器与滤波电容刚开机工作时，电容的充电电流较大会损坏产品的问题，开机时通过可控硅芯片对限流电阻进行通路从而对电容的充电电流进行限流，当电容电压达到额定值时，可控硅芯片对限流电阻进行短路从而整流器安全稳定地工作。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种用于限流的九芯片整流器，包括：

底座，

壳体，所述壳体上开设有若干空心槽，

三个芯片电极组件，每个所述芯片电极组件包括：陶瓷垫片、第一半导体芯片、第二半导体芯片、可控硅芯片和第二可控硅电极，所述陶瓷垫片固定连接于底座上，所述第一半导体芯片、第二半导体芯片和可控硅芯片沿陶瓷垫片长度方向依次固定连接于陶瓷垫片上方，所述第二可控硅电极包括：依次一体设置的第四固定部、第四连接部、第四焊接部、折弯部和第五焊接部，所述第四焊接部设置在可控硅芯片和第二半导体芯片下方，所述第五焊接部连接于第一半导体芯片上表面，所述第四固定部穿过空心槽并在壳体上方折弯，

第一半导体电极，所述第一半导体电极包括：一体设置的第一固定部、第一连接部和三个第一焊接部，一个所述第一焊接部对应一个芯片电极组件，所述第一焊接部设置在第一半导体芯片与陶瓷垫片之间，所述第一固定部穿过空心槽并在壳体上方折弯，

第二半导体电极，所述第二半导体电极包括：一体设置的第二固定部、第二连接部和三个第二焊接部，一个所述第二焊接部对应一个芯片电极组件，所述第二焊接部连接于第二半导体芯片上表面，所述第二固定部穿过空心槽并在壳体上方折弯，

第一可控硅电极，所述第一可控硅电极包括：一体设置的第三固定部、第三连接部和第三焊接部，一个所述第三焊接部对应一个芯片组件，所述第三焊接部连接于可控硅芯片上表面，所述第三固定部穿过空心槽并在壳体上方折弯，

三个固定件，所述固定件用于底端通过引线与可控硅芯片连接，所述固定件穿过空心槽并在壳体上下两侧折弯。

作为优选，相邻两个所述空心槽之间设有凸楞。

作为优选，所述壳体中间开设有灌装槽。