[实用新型]一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置

权利要求书

1.一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：包括用于放置氮化铝粉源或氮化铝烧结体的坩埚本体、盖设于所述坩埚本体顶部的坩埚盖、固设于所述坩埚盖的内表面的籽晶台、上端固定在所述籽晶台上的导流罩，所述导流罩沿远离所述籽晶台的方向向下逐渐径向张开。

2.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：所述坩埚装置还包括设于所述坩埚本体中的用于隔开所述坩埚盖和所述氮化铝粉源或用于隔开所述坩埚盖和所述氮化铝烧结体的隔离件。

3.根据权利要求2所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：所述隔离件上设有通孔，所述籽晶台包括用于穿过所述通孔并抵接在所述坩埚盖的内表面的第一台体、与所述第一台体一体成型的位于所述隔离件远离所述坩埚盖一侧的第二台体，所述导流罩固定安装在所述第二台体上。

4.根据权利要求3所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：所述第二台体的直径大于所述通孔的直径，所述第二台体的上表面与所述隔离件的下表面之间间隙分布，所述导流罩包括连接部、固定连接在所述连接部下方的导流部，所述连接部卡设于所述隔离件的下表面和所述第二台体的上表面之间。

5.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：所述导流罩呈锥形。

6.根据权利要求5所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：所述导流罩的锥角在20°-160°之间。

7.根据权利要求5所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：所述坩埚本体、所述坩埚盖、所述籽晶台、所述导流罩、所述隔离件同轴心线分布。

8.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：所述导流罩的底端与所述氮化铝粉源的顶端或所述氮化铝烧结体的顶端之间的距离为1-10mm。

9.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：所述导流罩与所述坩埚本体的内壁之间的距离为0.5-10mm。

10.根据权利要求1所述的一种用于氮化铝单晶生长的坩埚装置，其特征在于：所述导流罩的厚度为1-10mm。