[实用新型]一种多主栅电池片有效
申请号: | 201721356550.2 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN207868206U | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 李春;刘慎思;赵晨;陶智华;郑飞;张忠卫;阮忠立 | 申请(专利权)人: | 上海神舟新能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 林君如 |
地址: | 201112 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主栅线 本实用新型 边缘焊点 正面电极 电池片 副栅线 主栅 垂直设置 焊接拉力 效率提升 依次排列 银浆耗量 背电场 背电极 小焊点 根数 栅线 遮光 平衡 | ||
本实用新型涉及一种多主栅电池片,包括正面电极、背电极和背电场(9),正面电极包括多根副栅线和多根主栅线,所述的副栅线和主栅线垂直设置,每根主栅线由两个边缘焊点(2)以及在该两个边缘焊点(2)之间依次排列的多个小焊点(1)组成。与现有技术相比,本实用新型解决遮光面积以及栅线根数的平衡,同时兼顾组件焊接拉力,既做到效率提升,又能够降低银浆耗量,降低生产成本。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,涉及一种多主栅电池片。
背景技术
随着人类社会的不断发展和进步,对能源的需求与日俱增。传统能源属于不可再生能源已经很难继续满足社会发展的需求,同时出于对环境的保护,全世界对新能源和可再生源的研究和利用日趋火热。其中太阳能发电技术具有将太阳光直接转化为电力、使用简单、环保无污染、能源利用率高等优势尤其受到普遍的重视。
目前市场上主流的晶体硅太阳能电池片主栅根数多以四根。为了提高太阳电池效率,降低成本,电池厂商从提高效率的角度将主栅根数从四根提升至五根。而且在2008年,Day4Engery technology使用Day4Electrode专利技术革新了传统电池工艺。2012年因经营不善将此技术出售给MeyerBurge,后者将此技术更名为SmartWire并继续开发,于2013年向市场发布。此项技术通过铜线与网印的细栅结合在一起,由于铜线的界面为圆形,制成组件后可以将有效遮光面积减少30%,同时减少电阻损失,组件总功率提高3%,同时由于主材料为铜线,电池的银材料用量减少80%。2012年Schmid也公布了自己的多主栅技术,设计理念与Day4Engergy的设计类似,但实现方式有所不同,显著不同在于Schmid技术对细栅的要求,在细栅与主栅交界处预留焊盘。在电池丝网印刷完成后,电池采用串焊机通过识别将铜线焊接完成进行层压。Schmid的多主栅技术最大程度上继承了现有网印电池和组件工艺。MultiBusbar技术可以有效降低电阻损失,将填充因子提高0.3%,效率提升0.6%,银浆耗量可以下降25%以上。成本得到进一步的降低。
多主栅电池作为提效以及降本的一种有效手段,但在实施过程中发现并不是主栅根数越多效率提升越明显,随着主栅根数的增加,遮光面积持续下降,而主栅根数达到一定程度后,Rs下降幅度放缓,功率提升放缓。同时对于组件而言,封装损失也加大,焊接可行性也下降。
发明内容
本实用新型的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种多主栅电池片。
本实用新型的目的可以通过以下技术方案来实现:
一种多主栅电池片,包括正面电极、背电极和背电场,所述的正面电极包括多根副栅线和多根主栅线,所述的副栅线和主栅线垂直设置,其特征在于,每根主栅线由两个边缘焊点以及在该两个边缘焊点之间依次排列的多个小焊点组成。
优选地,所述的主栅线设有12~22根,各主栅线相互平行,每根主栅线由两个边缘焊点以及在该两个边缘焊点之间依次排列的8~30个小焊点组成。
优选地,所述的小焊点为长方形焊点,长度在0.3~1.5mm内,宽度在0.5~1.5mm内。
优选地,所述的边缘焊点为长度大于小焊点的长方形焊点,边缘焊点的长度为1.5~3.5mm,宽度为0.5~15mm。
优选地,所述的副栅线的宽度为30~200μm,高度为3~35μm。
优选地,所述的副栅线的根数为60~200根,各副栅线互相平行。
优选地,相邻两根副栅线中的一根为连续副栅线,呈连续直线结构;另一根为间断副栅线,呈规律性断开式分布的虚线结构;间断副栅线的断开处产生两个断开端,其中一个断开端通过一根副主栅与相邻于该间断副栅线的一根连续副栅线衔接,另一个断开端通过另一根副主栅以错位方式与相邻于该间断副栅线的另一根连续副栅线衔接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的