[实用新型]一种OLED显示屏阳极基板有效
申请号: | 201721358556.3 | 申请日: | 2017-10-20 |
公开(公告)号: | CN207441703U | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 郑华;杨雷;章伟;范丽仙;张耿;张绍强;刘敏霞;李春花 | 申请(专利权)人: | 东莞理工学院 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 罗晓林;李捷 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素定义层 子像素 阳极金属 阳极基板 本实用新型 顶部设置 喷墨打印 阳极 发光层 红绿蓝 均匀性 含氟 液滴 制备 发光 保证 | ||
本实用新型公开了一种OLED显示屏阳极基板,包括具有阳极金属的TFT基板,TFT基板上设置有多个第一像素定义层,两第一像素定义层之间形成一子像素坑,所述阳极金属设置于TFT基板上与子像素坑对应的位置上,所述第一像素定义层的顶部设置有一可含氟的第二像素定义层,且第二像素定义层的宽度小于第一像素定义层的顶部宽度;所述阳极金属的尺寸小于对应的子像素坑的底部尺寸。利用本实用新型制得的OLED显示屏阳极基板,可使得在制备OLED显示屏的过程中,喷墨打印的液滴能在子像素坑内良好地形成红绿蓝发光层,并且可保证OLED显示屏发光的均匀性。
技术领域
本实用新型涉及OLED显示屏技术领域,具体一种OLED显示屏阳极基板。
背景技术
有机发光二极管(OLED)是一种重要的显示技术,传统的OLED显示屏采用全蒸镀工艺制备,必须使用高精度的蒸镀掩膜板(FMM,Fine Metal Mask)来定义红绿蓝子像素,因此工艺复杂、成本高昂。目前业界正积极改用印刷工艺(主要是喷墨打印)来制备红绿蓝子像素,其工艺简单、成本低廉,这种包含了印刷工艺制备的OLED显示屏称为“印刷OLED显示屏”。印刷OLED显示屏的基本特点是发光层采用印刷工艺(主要是喷墨打印)制备,而其上、下层的其它有机功能层可以是印刷工艺(喷墨打印、丝网印刷、旋涂、喷涂、刮涂、压印等)制备,也可以是蒸镀工艺制备。
单个印刷OLED显示屏的像素的整体结构示意图如图1所示,目前印刷OLED技术一般是在①阳极基板上,依次制备②③④⑤各层,最后包封而成。其中核心难点在于喷墨打印③红绿蓝发光层,喷墨打印的液滴容易溢出和彼此混合,从而使红绿蓝子像素的定义失败。现有的阳极基板的结构如附图2所示,喷墨打印的液滴之所以容易溢出和彼此混合,是因为现有阳极基板上的像素定义层受限于工艺,像素定义层有两方面难以满足喷墨打印的需要:(1)像素定义层是利用聚酰亚胺材料刻蚀形成子像素坑,其厚度很难增加,导致子像素坑能容纳液滴的体积有限;(2)其材料(聚酰亚胺)与液滴的亲和能很难降低,导致液滴容易扩散和溢出。
另外,由于子像素坑对应位置的阳极金属,其寸与子像素坑底部的尺寸相同,从而会导致子像素坑内红绿蓝发光层边缘不均匀区参与发光,从而不能保证参与发光的红绿蓝发光层的厚度均匀。因此,有必要对现有的阳极基板进行优化改进。
实用新型内容
为克服现有技术的不足及存在的问题,本实用新型提供一种OLED显示屏阳极基板,利用本实用新型提供的OLED显示屏阳极基板,可使得在制备OLED显示屏的过程中,喷墨打印的液滴能在子像素坑内良好地形成红绿蓝发光层,并且可保证OLED显示屏发光的均匀性。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:一种OLED显示屏阳极基板,包括具有阳极金属的TFT基板,TFT基板上设置有多个第一像素定义层,两第一像素定义层之间形成一子像素坑,所述阳极金属设置于TFT基板上与子像素坑对应的位置上,所述第一像素定义层的顶部设置有一可含氟的第二像素定义层,且第二像素定义层的宽度小于第一像素定义层的顶部宽度;所述阳极金属的尺寸小于对应的子像素坑的底部尺寸。
优选地,所述阳极金属的尺寸为对应子像素坑的底部尺寸的60%- 90%;所述阳极金属位于对应预设子像素坑的居中位置。
优选地;所述第二像素定义层由含氟光刻胶制成;较佳地,所述含氟光刻胶为以2-烯丙六氟异丙醇(Allyl HFIP)为共聚单体合成的含氟树脂光刻胶,或为以六氟二酐(6FDA)作为共聚单体合成的含氟的聚酰亚胺光刻胶。
较佳地,所述第一像素定义层呈上窄下宽的梯形结构;所述第二像素定义层为矩形结构。
较佳地,所述第一像素定义的顶部的为平面,且其顶部的宽度≥5um。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的