[实用新型]一种新型带隙基准源电路

说明书

本实用新型公开了一种新型带隙基准源电路，该电路包括：负反馈放大电路、第一镜像电路及第二镜像电路；所述负反馈放大电路包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2及运算放大器；所述第一MOS管M1及第二MOS管M2与电压VDD端连接；所述第一MOS管M1及第二MOS管M2连接至运算放大器；所述第一镜像电路包括：第一PNP型三极管Q1；所述第一MOS管M1通过第一电阻R1与第一PNP型三极管Q1连接；所述第二镜像电路包括：第二PNP型三极管Q2；所述第二MOS管M2通过第二电阻R2与第二PNP型三极管Q2连接；所述第二MOS管M2连接至基准电压输出端。与现有技术相比，该电路可以降低电流和功耗，节省面积，减少工艺的复杂程度。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种新型带隙基准源电路。

背景技术

基准源广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片中，其精度和稳定性直接决定整个系统的精度。在模/数转换器(ADC Analog-to-DigitalConverter)、数/模转换器(DAC Digital-to-Analog Converter)、动态存储器(DRAMDynamic Random Access Memory)等集成电路设计中，低温度系数、高电源抑制比(PSRRPower Supply Rejection Ratio)的基准源设计十分关键。

图1为现有技术中一种带隙基准源电路图，如图1所示的一种现有带隙基准源电路包括由三路镜像电流支路：MOS(Metal Oxide Semiconductor)管M1、M2和M3；呈PNP型三极管Q1和Q2；运算放大器OPA(Operational Amplifier)；电阻R1和R2。MOS管M3的漏极电压为基准电压的输出端Vref。其中Q1的发射极面积为Q2的n倍(n>2，一般为8)，运算放大器工作在负反馈状态，以A，B两点为输入，驱动Q1和Q2的电流源，使A，B两点稳定在近似相等的电压上，运算放大器输入端呈现虚短状态。当输出电压发生变化时，通过运算放大器OPA反馈至M3的栅极，进而控制M3漏极上的电流，从而达到对基准电压的调整。也有一些电路取消Q3，但是要改变R2的温度系数，使输出达到稳定。

在现有的制造工艺中，并不能保证每个电子元器件的工作参数都是完全相同的，在制造过程中会存在参数的差异，而这些差异会让电路中的M1，M2和M3之间产生失配，匹配的晶体管个数越多设计难度越大。

如图1所示，该基准源电路由M1，M2，OPA等两条支路组成的负反馈放大支路和由M3，R2，Q3组成的基准输出支路组成，电路实现复杂，成本较高，功耗大。

发明内容

针对上述现有技术的现状，本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种新型带隙基准源电路，该电路可以降低电流和功耗，节省面积，减少工艺的复杂程度。

本实用新型为达到上述目的所采用的技术方案为：

一种新型带隙基准源电路，包括：负反馈放大电路、第一镜像电路及第二镜像电路；

所述负反馈放大电路包括：第一MOS管M1、第二MOS管M2及运算放大器；

所述第一MOS管M1及第二MOS管M2与电压VDD端连接；所述第一MOS管M1及第二MOS管M2连接至运算放大器；

所述第一镜像电路包括：第一PNP型三极管Q1；

所述第一MOS管M1通过第一电阻R1与第一PNP型三极管Q1连接；

所述第二镜像电路包括：第二PNP型三极管Q2；

所述第二MOS管M2通过第二电阻R2与第二PNP型三极管Q2连接；

所述第二MOS管M2连接至基准电压输出端。