[实用新型]防止电流倒灌驱动电路有效
| 申请号： | 201721377008.5 | 申请日： | 2017-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN207743710U | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈顺鹏 | 申请（专利权）人： | 惠州市嘉润茂科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 东莞市科安知识产权代理事务所(普通合伙) 44284 | 代理人： | 曾毓芳 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲恺高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流倒灌 控制电路 电阻 驱动电路 充电器 主控电路 充电 外部设备 移动终端设备 本实用新型 输出高电压 电路设计 反向连接 异常现象 有效解决 制造成本 终端设备 低电压 电连接 三极管 输出端 输入端 起火 爆炸 预防 | ||
1.一种防止电流倒灌驱动电路，包括外部设备的主控电路以及与所述主控电路电连接的控制电路，其特征在于：所述控制电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、三极管(Q3)、第一MOS管(Q1)和第二MOS管(Q2)；所述控制电路上设置有输入端(IN)和输出端(OUT)；所述主控电路上设有第二输入端(CGATE)，所述第二输入端(CGATE)电连接第三电阻(R3)的一端接口，第三电阻(R3)的另一端接口与所述三极管(Q3)的基极电连接，第四电阻(R4)的一端接口与所述三极管(Q3)的基极电连接，第四电阻(R4)另一端接口与所述三极管(Q3)的发射极电连接后再接地，所述三极管(Q3)的集电极与第二电阻(R2)电连接；第二电阻(R2)并联于所述第一MOS管(Q1)和所述第二MOS管(Q2)的控制端(G)的D点。
2.根据权利要求1所述的防止电流倒灌驱动电路，其特征在于，所述三极管(Q3)为NPN型三极管。
3.根据权利要求1所述的防止电流倒灌驱动电路，其特征在于，所述第一MOS管(Q1)包括第一控制端(G)、第一导通端(D)及次级第一导通端(S)；所述第二MOS管(Q2)包括第二控制端(G)、第二导通端(D)及次级第二导通端(S)。
4.根据权利要求3所述的防止电流倒灌驱动电路，其特征在于，所述第一控制端(G)和所述第二控制端(G)为栅极，所述第一导通端(D)和所述第二导通端(D)为漏极，所述次级第一导通端(S)和次级第二导通端(S)为源极。
5.根据权利要求4所述的防止电流倒灌驱动电路，其特征在于，所述第一控制端(G)和所述第二控制端(G)电连接并记为D点，所述第一导通端(D)与所述输入端(IN)电连接；所述次级第一导通端(S)与所述次级第二导通端(S)电连接并记为B点，所述第二导通端(D)与所述输出端(OUT)电连接。
6.根据权利要求5所述的防止电流倒灌驱动电路，其特征在于，第二电阻(R2)还与第一电阻(R1)串联连接于所述第一MOS管(Q1)的次级第一导通端(S)和所述第二MOS管(Q2)的次级第二导通端(S)的1引脚。
7.根据权利要求1或3所述的防止电流倒灌驱动电路，其特征在于，所述第一MOS管(Q1)和所述第二MOS管(Q2)选用为P沟道MOSFET管。
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