[实用新型]一种常压炉有效
| 申请号： | 201721378879.9 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN207303056U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈瑞 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 常压 | ||
【权利要求书】：
1.一种常压炉，所述常压炉包括：
常压炉主体；
基座，所述基座设置在所述常压炉主体内部；
石英舟，所述石英舟可拆卸的连接在所述基座上；
石英鳍，所述石英舟通过所述石英鳍连接在所述基座上；
其特征在于，所述石英鳍采用销柱型石英鳍。
2.根据权利要求1所述的常压炉，其特征在于，所述常压炉内设有反应室。
3.根据权利要求2所述的常压炉，其特征在于，所述基座设置在所述反应室内。
4.根据权利要求1所述的常压炉，其特征在于，所述基座上预设有固定位，所述石英鳍连接在所述固定位上。
5.根据权利要求1所述的常压炉，其特征在于，所述销柱型石英鳍包括：
凸圆，所述凸圆具有第四直径和第四高度；
第一区段，所述第一区段连接在所述凸圆的下方，所述第一区段具有第一直径和第一高度；
第二区段，所述第二区段连接在所述第一区段的下方，所述第二区段具有第二直径和第二高度；
第三区段，所述第三区段连接在所述第二区段的下方，所述第三区段具有第三直径和第三高度。
6.根据权利要求5所述的常压炉，其特征在于，所述第一直径大于所述第二直径，所述第三直径大于所述第二直径且小于所述第一直径，所述第四直径大于所述第一直径。
7.根据权利要求5所述的常压炉，其特征在于，所述第一高度大于所述第二高度，所述第二高度大于所述第三高度，所述第三高度大于所述第四高度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
