[实用新型]发光二极管

说明书

本实用新型公开了一种发光二极管，包括：半导体层叠体，包含：第一导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的发光层；第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一导电型半导体层电连接，所述第二电极位于所述第二导电型半导体层上并与所述第二导电型半导体层电连接；所述第一电极包括若干个第一子电极，所述第二电极包括若干个第二子电极；第三电极和第四电极，所述第三电极用于连接所述若干个第一子电极，所述第四电极用于连接所述若干个第二子电极；所述第三电极包括若干个第三子电极，所述第四电极包括若干个第四子电极，其特征在于：任意相邻的两个第一子电极和/或第二子电极之间的投影距离相等。

技术领域

本实用新型涉及半导体元件，尤其是涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管（英文为Light Emitting Diode，缩写为LED）由于具有寿命长、耗能低等优点，应用于各种领域，其中以氮化镓（GaN）为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度发光二极管、激光器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。

图1是表示一种已知的发光二极管的结构示意图。发光二极管发光元件包括：衬底(100)；在衬底(100)上生长的缓冲层(200)；在缓冲层(200)上生长的n型半导体层(300)；在n型半导体层(300)上生长的有源层(400)；在有源层(400)上生长的p型半导体层(500)；形成在p型半导体层(500)上，并实现电流扩散功能的透光性导电膜(600)；形成在透光性导电膜(600)上的p侧接合焊盘(700)；以及通过蚀刻而露出，并形成在n型半导体层(300)上的n侧接合焊盘(800)。并且，在透光性导电膜(600)上具备分布布拉格反射器(900；DBR：Distributed Bragg Reflector)和金属反射膜(904)。根据这样的结构，虽然能够减少光被金属反射膜(904)吸收，但与利用电极(901，902，903)的情况相比，相对地电流扩散不够顺畅。

实用新型内容

为解决上述现有技术中存在的不足，本实用新型提出一种发光二极管，包括：半导体层叠体，包含：第一导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的发光层；第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一导电型半导体层电连接，所述第二电极位于所述第二导电型半导体层上并与所述第二导电型半导体层电连接；所述第一电极包括若干个第一子电极，所述第二电极包括若干个第二子电极；第三电极和第四电极，所述第三电极用于连接所述若干个第一子电极，所述第四电极用于连接所述若干个第二子电极；所述第三电极包括若干个第三子电极，所述第四电极包括若干个第四子电极，其特征在于：任意相邻的两个第一子电极和/或第二子电极之间的投影距离相等。

优选地，所述第三子电极的数目与第四子电极的数目的比例大于或者等于2:1。

优选地，所述第三子电极的数目与第四子电极的数目的比例大于4:1。

优选地，所述第三子电极图案呈直条状或者折线条状。

优选地，所述折线条状包括S字形或者Z字形。

优选地，所述若干个第三子电极的形状相同或者不同。

优选地，所述相邻的第三子电极之间间隔有若干个第二子电极。

优选地，所述间隔的若干个第二子电极的图案与相邻的第三子电极的图案相同或相似。

优选地，所述第四子电极图案呈镂空板状。

优选地，还包括第五电极和第六电极，所述第五电极用于连接所述若干个第三子电极，所述第六电极用于连接所述若干个第四子电极。

优选地，所述第五电极与第六电极的形状相同，且对称排列。