[实用新型]一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片有效
| 申请号： | 201721381858.2 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN207338418U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨为家;吴质朴;何畏;陈强 | 申请（专利权）人： | 江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/26;H01L33/40;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 梁嘉琦 |
| 地址： | 529000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 晶体 垂直 结构 led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括由下至上依次排列的Si或者Cu衬底层(11)、Al单晶金属薄膜层(12)、p－GaN薄膜层(13)、i－AlN薄膜层(14)、n－ZnO层薄膜(15)和单晶光子晶体薄膜层(16)。
2.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述单晶光子晶体薄膜层(16)的材料为AlAg、AlAu、AlCu或者AlNi，其图案为规则排列的方形、圆形或者正多边形，其厚度为150－2000nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述Al单晶金属薄膜层(12)厚度为150－2000nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述p－GaN薄膜层(13)的厚度为150－3500nm，所述p－GaN薄膜层(13)还包括一层8－12nm的Ag纳米层(17)。
5.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述i－AlN薄膜层(14)厚度为2－30nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述n－ZnO层薄膜(15)的厚度为150－500nm。
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