[实用新型]一种大功率芯片封装结构

权利要求书

1.一种大功率芯片封装结构，其特征在于：包括底板、设于底板上端的第一焊料层，设于第一焊料层上端的DCB层、设于DCB层上端的第二焊料层以及设于第二焊料层上端的芯片，所述DCB层包括从下到上依次设置的第一铜层、陶瓷层和第二铜层，所述第一铜层与第一焊料层的上端连接，所述第二铜层与第二焊料层的下端连接，所述第一焊料层为锡-银-铜系合金焊料层或锡-银-铟-铋系合金焊料层，所述第二焊料层为锡-银-铜系合金焊料层或锡-银-铟-铋系合金焊料层。

2.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述第一焊料层和第二焊料层厚度均为0.3-0.8mm。

3.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述底板为铜底板或铝底板。

4.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述陶瓷层为氮化铝层或氮化硼层。

5.根据权利要求4所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述第一铜层、陶瓷层和第二铜层的厚度比为1：4-6：1。

6.根据权利要求5所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述第一铜层、陶瓷层和第二铜层的厚度比为1：5：1。

7.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述底板的厚度与DCB层的厚度之和为10-14mm。

8.根据权利要求7所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述底板的厚度为7mm，DCB层的厚度为5mm。

9.根据权利要求1所述的一种大功率芯片封装结构，其特征在于：所述第一铜层、陶瓷层及第二铜层的厚度分别为0.8mm、3.5mm、0.7mm。