[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201721385002.2 | 申请日: | 2017-10-24 |
公开(公告)号: | CN207265054U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上的数据线、导电屏蔽层、像素电极、黑矩阵,其中,
所述导电屏蔽层和所述像素电极均位于所述数据线背向所述衬底基板的一侧,所述导电屏蔽层与所述像素电极和所述数据线均不接触,所述导电屏蔽层和所述黑矩阵均包括与所述数据线相对的部分,所述黑矩阵位于所述导电屏蔽层背向所述数据线的一侧。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述数据线的宽度方向上,所述数据线与所述导电屏蔽层相对的部分在所述衬底基板上的正投影,落入所述导电屏蔽层与该数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内,所述导电屏蔽层与所述数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影,落入所述黑矩阵与该数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电屏蔽层与所述像素电极同层设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述像素电极背向所述衬底基板的一侧的公共电极,所述导电屏蔽层与所述公共电极同层设置。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极为狭缝状电极。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极与所述公共电极之间设置有层间绝缘层。
7.根据权利要求3~6任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括位于所述衬底基板上的栅线;
所述导电屏蔽层和所述黑矩阵均还包括与所述栅线相对的部分,所述导电屏蔽层不与所述栅线接触,且在所述栅线的宽度方向上,所述栅线与所述导电屏蔽层相对的部分在所述衬底基板上的正投影,落入所述导电屏蔽层与该栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内,所述导电屏蔽层与所述栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影,落入所述黑矩阵与该栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括与所述栅线同层设置且位于所述栅线一侧的公共电极线;
在所述栅线的宽度方向上,所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影和所述栅线在所述衬底基板上的正投影均落入所述黑矩阵与该栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线同层设置,且所述薄膜晶体管的栅极与对应的所述栅线连接,所述薄膜晶体管的源极和漏极均与所述数据线同层设置,且所述薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接;
所述薄膜晶体管与所述像素电极之间设置有钝化层;
所述阵列基板还包括彩膜层,所述彩膜层位于所述钝化层与所述像素电极之间,所述彩膜层与所述像素电极之间设置有平坦化层。
10.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电屏蔽层与设置在所述衬底基板边缘的电压源连接。
11.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1~10任一所述的阵列基板。
12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求11所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的