[实用新型]一种阵列基板、显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201721385002.2 申请日: 2017-10-24
公开(公告)号: CN207265054U 公开(公告)日: 2018-04-20
发明(设计)人: 程鸿飞 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板,以及位于所述衬底基板上的数据线、导电屏蔽层、像素电极、黑矩阵,其中,

所述导电屏蔽层和所述像素电极均位于所述数据线背向所述衬底基板的一侧,所述导电屏蔽层与所述像素电极和所述数据线均不接触,所述导电屏蔽层和所述黑矩阵均包括与所述数据线相对的部分,所述黑矩阵位于所述导电屏蔽层背向所述数据线的一侧。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在所述数据线的宽度方向上,所述数据线与所述导电屏蔽层相对的部分在所述衬底基板上的正投影,落入所述导电屏蔽层与该数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内,所述导电屏蔽层与所述数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影,落入所述黑矩阵与该数据线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电屏蔽层与所述像素电极同层设置。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于所述像素电极背向所述衬底基板的一侧的公共电极,所述导电屏蔽层与所述公共电极同层设置。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极为狭缝状电极。

6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极与所述公共电极之间设置有层间绝缘层。

7.根据权利要求3~6任一所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括位于所述衬底基板上的栅线;

所述导电屏蔽层和所述黑矩阵均还包括与所述栅线相对的部分,所述导电屏蔽层不与所述栅线接触,且在所述栅线的宽度方向上,所述栅线与所述导电屏蔽层相对的部分在所述衬底基板上的正投影,落入所述导电屏蔽层与该栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内,所述导电屏蔽层与所述栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影,落入所述黑矩阵与该栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括与所述栅线同层设置且位于所述栅线一侧的公共电极线;

在所述栅线的宽度方向上,所述公共电极线在所述衬底基板上的正投影和所述栅线在所述衬底基板上的正投影均落入所述黑矩阵与该栅线相对的部分在所述衬底基板上的正投影内。

9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线同层设置,且所述薄膜晶体管的栅极与对应的所述栅线连接,所述薄膜晶体管的源极和漏极均与所述数据线同层设置,且所述薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接;

所述薄膜晶体管与所述像素电极之间设置有钝化层;

所述阵列基板还包括彩膜层,所述彩膜层位于所述钝化层与所述像素电极之间,所述彩膜层与所述像素电极之间设置有平坦化层。

10.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电屏蔽层与设置在所述衬底基板边缘的电压源连接。

11.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1~10任一所述的阵列基板。

12.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求11所述的显示面板。

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