[实用新型]扇出型天线结构

说明书

本实用新型提供一种扇出型天线结构，包括：半导体芯片；塑封材料层，包括相对的第一表面及第二表面，塑封材料层塑封于半导体芯片的外围；金属连接柱，位于塑封材料层内，且上下贯通塑封材料层；天线结构，位于塑封材料层的第一表面上，且与金属连接柱电连接；重新布线层，位于塑封材料层的第二表面上，且与半导体芯片及金属连接柱电连接；焊料凸块，位于重新布线层远离塑封材料层的表面上，且与重新布线层电连接。本实用新型的封装结构可以大大节省空间面积，可在较小的区域面积内形成较大面积长度的天线，大大提高了天线的增益，天线结构中的金属天线的线宽可以做到很小，可以大大增加天线结构中的金属天线的密度。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种扇出型天线结构。

背景技术

更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来，集成电路封装将通过不断减小最小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前，先进的封装方法包括：晶圆片级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)，扇出型晶圆级封装(Fan-Out Wafer Level Package，FOWLP)，倒装芯片(FlipChip)，叠层封装(Package on Package，POP)等等。

扇出型晶圆级封装是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，是目前一种输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好的先进封装方法之一。扇出型晶圆级封装相较于常规的晶圆级封装具有其独特的优点：①I/O间距灵活，不依赖于芯片尺寸；②只使用有效裸片(die)，产品良率提高；③具有灵活的3D封装路径，即可以在顶部形成任意阵列的图形；④具有较好的电性能及热性能；⑤高频应用；⑥容易在重新布线层(RDL)中实现高密度布线。

目前，射频芯片的扇出型晶圆级封装方法一般为：提供载体，在载体表面形成粘合层；在粘合层上光刻、电镀出重新布线层(Redistribution Layers，RDL)；采用芯片键合工艺将射频芯片安装到重新布线层上；采用注塑工艺将芯片塑封于塑封材料层中；去除载体和粘合层；在重新布线层上光刻、电镀形成凸块下金属层(UBM)；在UBM上进行植球回流，形成焊球凸块；然后进行晶圆黏片、切割划片。出于通信效果的考虑，射频芯片在使用时都会设置天线，而现有天线都是开发者在对射频功能模块进行layout设计时，直接在PCB板上layout天线或留出外接天线的接口；但由于外接天线的诸多不便，现天线大多直接在PCB板上layout天线，而此种方法要保证天线增益，天线的尺寸面积要足够大，这就势必以牺牲PCB面积为代价，从而使得PCB板的面积及整个封装结构的面积变大。

鉴于此，有必要设计一种新的扇出型天线结构用以解决上述技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种扇出型天线结构，用于解决现有射频芯片在使用时为保证天线增益，天线的尺寸面积要足够大，从而导致PCB板面积及整个封装结构的面积变大的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种扇出型天线封装结构，所述扇出型天线封装结构包括：

半导体芯片；

塑封材料层，包括相对的第一表面及第二表面，所述塑封材料层塑封于所述半导体芯片的外围，且暴露出所述半导体芯片的正面；

金属连接柱，位于所述塑封材料层内，且上下贯通所述塑封材料层；

天线结构，位于所述塑封材料层的第一表面上，且与所述金属连接柱电连接；

重新布线层，位于所述塑封材料层的第二表面上，且与所述半导体芯片及所述金属连接柱电连接；

焊料凸块，位于所述重新布线层远离所述塑封材料层的表面上，且与所述重新布线层电连接。

优选地，所述半导体芯片包括：