[实用新型]芯片再布线封装结构

说明书

本实用新型提供一种芯片再布线封装结构，包括基体，其主要改进之处在于：所述基体的一个表面设有腔体，在基体的一个表面和腔体中制作有金属再布线层；芯片焊接在腔体内金属再布线层的金属布线上；芯片的电连接点向下与腔体内金属再布线层的金属布线连接；在基体的一个表面设有表面覆盖层，覆盖所述基体的一个表面，并将芯片完全埋进表面覆盖层；在表面覆盖层上对应于需要设置输入输出端口的位置开口，在开口处设有与金属布线层连接的输入输出端口。最终的多芯片再布线结构紧凑，可以实现超薄封装，比目前绝大多数的扇出封装更具性价比；避免了临时键合和拆键合复杂工艺。

技术领域

本实用新型涉及系统级封装领域，尤其是涉及多芯片再布线层的晶圆级再布线结构。

背景技术

随着芯片功能变得越来越复杂，I/O数越来越多，Fan-in（扇入）封装已不能满足I/O扇出的要求。Fan-out（扇出）封装技术是对fan-in封装技术的补充，通过再构圆片的方式将芯片I/O端口引出。fan-out工艺在2008年就开始应用，主要是英飞凌无线的eWLB(Embedded Wafer Level BGA)技术。随着工艺技术逐渐成熟，成本不断降低，同时加上芯片工艺的不断提升，其应用可能出现爆发性增长。

英飞凌的Fan-out工艺流程如下：先将芯片临时放置在一片晶圆载片上；然后使用圆片级注塑工艺，将芯片埋入到模塑料中，固化模塑料，再移除晶圆载片。之后对埋有芯片的模塑料圆片进行晶圆级工艺（钝化、金属再布线和植球），最后切片完成封装。

现有技术有三个主要缺点：1，工艺流程复杂（引入临时键合和拆键合），需要投入工艺和设备资源较多；2，由第一条导致的产品性价比较低；3，采用封装主体是EMC材料，所以晶圆翘曲以及较厚的产品厚度都是生产过程中的一大难点。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种低成本、高良率，可同时实现多芯片再布线封装结构的芯片再布线封装结构。本实用新型采用的技术方案是：

一种芯片再布线封装结构的实现工艺，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1，提供基体，在基体的一个表面刻蚀形成腔体，在基体的一个表面以及腔体中制作金属再布线层；

步骤S2，将芯片焊接在腔体内金属再布线层的金属布线上；芯片的电连接点向下与腔体内金属再布线层的金属布线连接；

步骤S3，在基体的一个表面通过涂胶或者注塑将芯片完全埋进表面覆盖层；

步骤S4，对表面覆盖层和/或通过基体的另一个表面对基体减薄至所需厚度；

步骤S5，在表面覆盖层上对应于需要设置输入输出端口的位置开口，然后通过开口制作与金属再布线层连接的输入输出端口。

进一步地，步骤S5之后还包括：

步骤S6，在基体的另一表面增加一层保护层。

进一步地，步骤S1中，在基体和金属再布线层之间设置一介质层，以起到隔离作用；先形成介质层再制作金属再布线层。

进一步地，基体的材料是硅、玻璃、蓝宝石、陶瓷或者以上述材料为主的混合材料。

进一步地，金属再布线层是一层或多层。

一种芯片再布线封装结构，包括基体，其主要改进之处在于：

所述基体的一个表面设有腔体，在基体的一个表面和腔体中制作有金属再布线层；

芯片焊接在腔体内金属再布线层的金属布线上；芯片的电连接点向下与腔体内金属再布线层的金属布线连接；

在基体的一个表面设有表面覆盖层，覆盖所述基体的一个表面，并将芯片完全埋进表面覆盖层；