[实用新型]喷头组件和处理腔室

说明书

公开了喷头组件和处理腔室。本文中描述的实施例总体涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于基板处理设备的改进喷头组件。喷头组件包括气体分配板和一个或多个温度检测组件。气体分配板包括具有顶表面和底表面的主体。一个或多个温度检测组件与气体分配板的顶表面对接，使得在气体分配板与一个或多个温度检测组件中的每一者之间形成热结合。每个温度检测组件包括突出特征和温度探测器。突出特征与气体分配板的顶表面对接，使得轴向负载沿着突出特征的轴线而放置在气体分配板上。温度探测器定位在突出特征的主体中。

技术领域

本文中描述的实施例总体涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于基板处理设备的改进喷头组件。

背景技术

经由等离子体气体执行对半导体基板的“干法”蚀刻(也被称为反应离子蚀刻(RIE))的半导体处理系统要求持续监测。虽然可能预先定义蚀刻参数并且允许系统执行不监测的蚀刻工艺监测，但是系统内的状况可能随时间而改变。例如，监测基板处理设备的喷头组件的温度帮助提供温度反馈，温度反馈可以帮助维持稳定工艺控制。蚀刻气体的组成或压力或工艺腔室或基板的温度的微小变化产生不期望的蚀刻结果。

因此，需要一种用于基板处理设备的改进喷头组件。

实用新型内容

本文中描述的实施例总体涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于基板处理设备的改进喷头组件。喷头组件包括气体分配板和一个或多个温度检测组件。气体分配板包括具有顶表面和底表面的主体。一个或多个温度检测组件与气体分配板的顶表面物理对接。每个温度检测组件包括突出特征和温度探测器。突出特征与气体分配板的顶表面接触。温度探测器定位在突出特征中。

在另一实施例中，本文中公开了一种处理腔室。处理腔室包括基板支撑构件和喷头组件。基板支撑构件被配置为支撑基板。喷头组件包括气体分配板和一个或多个温度检测组件。气体分配板包括具有顶表面和底表面的主体。一个或多个温度检测组件与气体分配板的顶表面对接。每个温度检测组件包括轴向加载的突出特征和温度探测器。突出特征与气体分配板的顶表面结合。温度探测器定位在突出特征中。

在另一实施例中，本文中公开了一种处理基板的方法。在处理腔室的处理区域中形成等离子体。处理区域限定在喷头组件与基板支撑组件之间。喷头组件包括气体分配板。基板支撑组件被配置为支撑基板。利用温度检测组件对气体分配板的温度进行监测。温度检测组件与气体分配板的顶表面对接，使得在气体分配板与温度检测组件之间形成热结合。温度检测组件包括突出特征和温度探测器。突出特征与气体分配板的顶表面对接，使得轴向负载沿着突出特征的轴线而放置在气体分配板上。温度探测器由突出特征支撑。 温度探测器被配置为对气体分配板的温度进行监测。然后，基于由温度检测组件监测的温度调节工艺配方。

附图说明

因此，为了详细理解本公开内容的上述特征结构所用方式，可参考实施例得到上文所简要概述的本公开内容的更具体的描述，一些实施例示出在附图中。然而，应当注意，附图仅示出了本公开内容的典型实施例，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其它等效实施例。

图1示出了根据一个实施例的处理腔室的截面图。

图2示出了根据一个实施例的图1的喷头组件的局部截面图。

图3A示出了根据一个实施例的图1和图2的气体分配板的俯视图。

图3B示出了根据一个实施例的图1和图2的气体分配板的俯视图。

图4示出了根据一个实施例的图1和图2的喷头组件的俯视图。

为了清楚起见，已尽可能使用相同附图标记指定各图所共有的相同要素。另外，一个实施例中的要素可有利地适于用于本文中描述的其它实施例。

具体实施方式